公开(公告)号：CN113412151A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202080013585.4

申请日：2020-02-13

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 宫崎敦史 ,  五十岚知里 ,  铁真希男 ,  青柳健介 ,  横田悠树

IPC: B01F17/00 ,  C09K3/00 ,  A61Q5/00 ,  A61K8/41 ,  A61K8/46 ,  A61K8/891 ,  D06M13/188 ,  D06M13/256 ,  D06M13/46 ,  D06M15/643

Abstract: 本发明涉及一种可使二甲基聚硅氧烷高浓度残留于固体表面上的表面活性剂组合物，其含有阴离子表面活性剂(A)、阳离子表面活性剂(B)、及二甲基聚硅氧烷(C)，下述摩尔比RA为0.10～0.90，下述摩尔比Rb为0.4以上。RA：阴离子表面活性剂(A)的量相对于阴离子表面活性剂(A)与阳离子表面活性剂(B)的合计量的摩尔比{(A)/[(A)+(B)]}，Rb：分支型阴离子表面活性剂(a1)与分支型阳离子表面活性剂(b1)的合计量相对于阴离子表面活性剂(A)与阳离子表面活性剂(B)的合计量的摩尔比{[(a1)+(b1)]/[(A)+(B)]}。

公开(公告)号：CN113412151B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202080013585.4

申请日：2020-02-13

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 宫崎敦史 ,  五十岚知里 ,  铁真希男 ,  青柳健介 ,  横田悠树

IPC: C09K23/54 ,  C09K23/18 ,  A61K8/46 ,  D06M13/256 ,  D06M15/643 ,  A61K8/891 ,  A61Q5/00 ,  C09K3/00 ,  C09K23/04 ,  A61K8/41 ,  D06M13/46 ,  D06M13/188

Abstract: 本发明涉及一种可使二甲基聚硅氧烷高浓度残留于固体表面上的表面活性剂组合物，其含有阴离子表面活性剂(A)、阳离子表面活性剂(B)、及二甲基聚硅氧烷(C)，下述摩尔比RA为0.10～0.90，下述摩尔比Rb为0.4以上。RA：阴离子表面活性剂(A)的量相对于阴离子表面活性剂(A)与阳离子表面活性剂(B)的合计量的摩尔比{(A)/[(A)+(B)]}，Rb：分支型阴离子表面活性剂(a1)与分支型阳离子表面活性剂(b1)的合计量相对于阴离子表面活性剂(A)与阳离子表面活性剂(B)的合计量的摩尔比{[(a1)+(b1)]/[(A)+(B)]}。