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公开(公告)号:CN1729537B
公开(公告)日:2010-04-28
申请号:CN03814154.X
申请日:2003-06-04
申请人: 艾沃思宾技术公司
发明人: 布莱德雷·N·恩格尔 , 贾森·阿兰·詹尼斯基 , 尼古拉斯·D·里佐
CPC分类号: G11C11/16
摘要: 一种磁致电阻隧道结存储单元(10)包括钉扎铁磁性区域(17)、电绝缘材料以及自由铁磁性区域(15),钉扎铁磁性区域具有一个在没有施加磁场时固定在一优选方向上的磁矩向量(47),其中该钉扎铁磁性区域具有磁边缘场(96),电绝缘材料设置在该钉扎铁磁性区域上以形成磁致电阻隧道结(16),以及自由铁磁性区域具有在一位置上取向为平行或反向平行于钉扎铁磁性区域的磁矩向量的磁矩向量(53),其中选择该磁边缘场以获得预想的翻转磁场。