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公开(公告)号：CN114764055A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110497546.2
申请日：2021-05-07
Applicant: 腾辉电子(苏州)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种聚酰亚胺基板耐热性检测方法，包括以下步骤：(1)准备聚酰亚胺基板，所述的测试样板和对比样板的所述第一金属层完全包覆有抗蚀带，第二金属层上按预定的线路间隔贴覆有抗蚀带；(2)刻蚀；(3)蒸煮；(4)冷热冲击测试。将所述的测试样板进行放入焊锡槽液面，保持测试样板与焊锡槽液面接触；取出冷却至室温得冷热冲击后的测试样板；判断对比样板和冷热冲击后的测试样板是否合格。由此，本申请通过将测试样品处理做出有铜箔‑无铜箔‑有铜箔等间隔的模型，经过蒸煮吸水，如果吸水量大，在做冷热冲击的时候，试样表层留下的铜箔是否会发生与基材分层等不良现象能够更好地得以体现，进而增加耐热性测试的精准性。
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公开(公告)号：CN113248921A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110659388.6
申请日：2021-06-15
Applicant: 腾辉电子(苏州)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种聚氧化乙烯材料及其制备方法，主要由以下原料制得：以质量份数计，聚氧化乙烯10‑40份，二苯甲烷型双马来酰亚胺60‑90份，烯丙基型苯并噁嗪50‑70份，二氧化硅5‑15份；所述聚氧化乙烯包括羟基、甲氧基、氨基封端的聚氧化乙烯中的一种或多种。本发明的聚氧化乙烯材料具有高韧性、高耐热性、良好可加工性、低收缩率、低介电常数和介电损耗等优良性能。
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公开(公告)号：CN115716989B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202211462314.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 腾辉电子(苏州)有限公司
IPC: C08L79/08 , C08L63/00 , C08L33/08 , C08L33/10 , C08L33/26 , C08L15/00 , C08K7/14 , C08J5/24 , H05K1/03 , B32B15/20 , B32B15/04 , B32B17/04 , B32B17/06
Abstract: 本发明涉及一种树脂组合物及由其制备聚酰亚胺半固化片和基板的方法，树脂组合物包含双马来酰亚胺树脂、烯丙基化合物、环氧树脂、丙烯酸化合物、溶剂；半固化片的制备方法为：将玻璃布含浸在胶液中后烘烤，即得聚酰亚胺半固化片；胶液的制备过程为：先由树脂组合物中的双马来酰亚胺树脂组分、烯丙基化合物组分和环氧树脂组分制得聚酰亚胺预聚物，再将聚酰亚胺预聚物与树脂组合物中的其它组分混合均匀，即得胶液；基板的制备方法为：将6张聚酰亚胺半固化片堆叠后在其上下表面覆盖铜箔通过真空高温高压压合制得聚酰亚胺基板。本发明的半固化片性能优良，在满足填胶要求的同时不流胶、不掉粉、不产生鱼眼。
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公开(公告)号：CN113248921B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110659388.6
申请日：2021-06-15
Applicant: 腾辉电子(苏州)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种聚氧化乙烯材料及其制备方法，主要由以下原料制得：以质量份数计，聚氧化乙烯10‑40份，二苯甲烷型双马来酰亚胺60‑90份，烯丙基型苯并噁嗪50‑70份，二氧化硅5‑15份；所述聚氧化乙烯包括羟基、甲氧基、氨基封端的聚氧化乙烯中的一种或多种。本发明的聚氧化乙烯材料具有高韧性、高耐热性、良好可加工性、低收缩率、低介电常数和介电损耗等优良性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114763435B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110374856.5
申请日：2021-04-07
Applicant: 腾辉电子(苏州)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低介电聚酰亚胺铜基板及其制备方法，铜基板的介电常数为3.5‑4.1，铜基板的介电损耗为0.002‑0.005，铜基板的热膨胀系数为20‑60(ppm/℃)，本发明的铜基板，通过预先加入氰酸脂树脂，形成三嗪环，再与双马来酰亚胺聚合，得到含有三嗪环结构的高交联密度的立体网状结构，实验发现，带有三嗪结构的材料制成的铜基板降低了介电常数和介电损耗，高交联密度结构提高了铜基板的玻璃化转变温度Tg并且降低了热膨胀系数CTE。
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公开(公告)号：CN114764055B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202110497546.2
申请日：2021-05-07
Applicant: 腾辉电子(苏州)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种聚酰亚胺基板耐热性检测方法，包括以下步骤：(1)准备聚酰亚胺基板，所述的测试样板和对比样板的所述第一金属层完全包覆有抗蚀带，第二金属层上按预定的线路间隔贴覆有抗蚀带；(2)刻蚀；(3)蒸煮；(4)冷热冲击测试。将所述的测试样板放入焊锡槽液面，保持测试样板与焊锡槽液面接触；取出冷却至室温得冷热冲击后的测试样板；判断对比样板和冷热冲击后的测试样板是否合格。由此，本申请通过将测试样品处理做出有铜箔‑无铜箔‑有铜箔等间隔的模型，经过蒸煮吸水，如果吸水量大，在做冷热冲击的时候，试样表层留下的铜箔是否会发生与基材分层等不良现象能够更好地得以体现，进而增加耐热性测试的精准性。
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公开(公告)号：CN116606404A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310459726.0
申请日：2023-04-26
Applicant: 腾辉电子(苏州)有限公司
IPC: C08F283/04 , C08F4/38 , C08J5/24 , C08L51/08 , C08L63/00 , B32B17/02 , B32B17/12 , B32B15/20 , B32B15/14 , B32B7/12 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B37/12 , B32B38/16
Abstract: 本发明提供了一种用于改性双马来酰亚胺的催化剂及改性双马来酰亚胺材料，包括过氧化二苯甲酰、过氧化苯甲酸叔丁酯、过氧化二异丙苯、双叔丁基过氧异丙基苯、过氧化叔丁基异丙基苯、二叔丁基过氧化物、2,5‑二甲基‑2,5‑二(叔丁基过氧基)己烷、2,4‑二氯过氧化苯甲酰、1,1‑二叔丁基过氧化‑3,3,5‑三甲基环己烷中的至少一种。本发明的催化剂能够应用于烯丙基苯基化合物改性双马来酰亚胺的改性方式，不仅能在预聚阶段加快反应，也能降低后期固化阶段中的固化温度和固化时间，实现反应过程稳定可控，达到缩短时间、提高效率、提高半固化片的可加工性、降低能耗的效果。
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公开(公告)号：CN115716989A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211462314.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 腾辉电子(苏州)有限公司
IPC: C08L79/08 , C08L63/00 , C08L33/08 , C08L33/10 , C08L33/26 , C08L15/00 , C08K7/14 , C08J5/24 , H05K1/03 , B32B15/20 , B32B15/04 , B32B17/04 , B32B17/06
Abstract: 本发明涉及一种树脂组合物及由其制备聚酰亚胺半固化片和基板的方法，树脂组合物包含双马来酰亚胺树脂、烯丙基化合物、环氧树脂、丙烯酸化合物、溶剂；半固化片的制备方法为：将玻璃布含浸在胶液中后烘烤，即得聚酰亚胺半固化片；胶液的制备过程为：先由树脂组合物中的双马来酰亚胺树脂组分、烯丙基化合物组分和环氧树脂组分制得聚酰亚胺预聚物，再将聚酰亚胺预聚物与树脂组合物中的其它组分混合均匀，即得胶液；基板的制备方法为：将6张聚酰亚胺半固化片堆叠后在其上下表面覆盖铜箔通过真空高温高压压合制得聚酰亚胺基板。本发明的半固化片性能优良，在满足填胶要求的同时不流胶、不掉粉、不产生鱼眼。
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公开(公告)号：CN114763435A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110374856.5
申请日：2021-04-07
Applicant: 腾辉电子(苏州)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低介电聚酰亚胺铜基板及其制备方法，铜基板的介电常数为3.5‑4.1，铜基板的介电损耗为0.002‑0.005，铜基板的热膨胀系数为20‑60(ppm/℃)，本发明的铜基板，通过预先加入氰酸脂树脂，形成三嗪环，再与双马来酰亚胺聚合，得到含有三嗪环结构的高交联密度的立体网状结构，实验发现，带有三嗪结构的材料制成的铜基板降低了介电常数和介电损耗，高交联密度结构提高了铜基板的玻璃化转变温度Tg并且降低了热膨胀系数CTE。
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