公开(公告)号：CN111133642B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201880062247.2

申请日：2018-10-29

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 山本匡史 ,  辻祐史 ,  高水大树 ,  村山实

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明提供面发射半导体激光器包括：半导体层叠构造，其包含第1导电型层、有源层和第2导电型层，在所述有源层产生的光沿着这些层的层叠方向谐振而作为激光从所述第2导电型层侧被输出；经由开口使所述有源层与所述第2导电型层电连接的电流缩窄层；对于所述有源层的发光波长具有透光性的绝缘层；与所述第1导电型层电连接的第1电极；和与所述第2导电型层电连接的第2电极，所述绝缘层的一部分从所述第2电极露出，该露出的所述绝缘层包括具有第1厚度的第1部分和具有第2厚度的包围所述第1部分的第2部分，所述第2厚度是与所述第1厚度相比能够使从所述有源层发出的光的输出比所述第1部分减少的厚度。

公开(公告)号：CN111133642A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880062247.2

申请日：2018-10-29

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 山本匡史 ,  辻祐史 ,  高水大树 ,  村山实

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明提供面发射半导体激光器包括：半导体层叠构造，其包含第1导电型层、有源层和第2导电型层，在所述有源层产生的光沿着这些层的层叠方向谐振而作为激光从所述第2导电型层侧被输出；经由开口使所述有源层与所述第2导电型层电连接的电流缩窄层；对于所述有源层的发光波长具有透光性的绝缘层；与所述第1导电型层电连接的第1电极；和与所述第2导电型层电连接的第2电极，所述绝缘层的一部分从所述第2电极露出，该露出的所述绝缘层包括具有第1厚度的第1部分和具有第2厚度的包围所述第1部分的第2部分，所述第2厚度是与所述第1厚度相比能够使从所述有源层发出的光的输出比所述第1部分减少的厚度。