公开(公告)号：CN111656658B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201880088023.9

申请日：2018-12-11

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中小原佑辅 ,  大河内裕太 ,  中原健 ,  长井真一郎 ,  大田原祐树

IPC: H02M1/08 ,  H02M3/155

Abstract: 负电压生成电路(200)具有：第一直流电压源(201)，其中，正极端连接到第一节点N1(Vin)；第一二极管(201)，其中，阴极连接到第一直流电压源(201)的负极端，并且阳极连接到第一负电压VC1的输出端(第四节点N4)；以及第一电容(204)，其中，第一端与第一负电压VC1的输出端连接，并且第二端与第二节点N2(Vs_high)连接，第一负电压VC1被提供给第一驱动器20，第一驱动器20执行连接在第一节点N1(Vin)和第二节点N2(Vs_high)之间的第一NMOSFET 11(第一开关元件)的开关控制。

公开(公告)号：CN111656658A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201880088023.9

申请日：2018-12-11

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中小原佑辅 ,  大河内裕太 ,  中原健 ,  长井真一郎 ,  大田原祐树

IPC: H02M1/08 ,  H02M3/155

Abstract: 负电压生成电路(200)具有：第一直流电压源(201)，其中，正极端连接到第一节点N1(Vin)；第一二极管(201)，其中，阴极连接到第一直流电压源(201)的负极端，并且阳极连接到第一负电压VC1的输出端(第四节点N4)；以及第一电容(204)，其中，第一端与第一负电压VC1的输出端连接，并且第二端与第二节点N2(Vs_high)连接，第一负电压VC1被提供给第一驱动器20，第一驱动器20执行连接在第一节点N1(Vin)和第二节点N2(Vs_high)之间的第一NMOSFET 11(第一开关元件)的开关控制。