磁阀的提升延迟的确定
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102803689A

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN201080026470.5

    申请日:2010-06-01

    CPC classification number: F02D41/20 F02D2041/2055 F02D2041/2058 H01F7/1805

    Abstract: 本发明涉及一种用于确定磁阀的打开延迟时间的方法。此外,本发明涉及一种用于触发内燃机中的喷射装置中的至少一个磁阀的控制设备。为了确定磁阀的当前的打开延迟时间,在此提出,在测量阶段中实施所述磁阀的触发并且从所述磁阀的触发的开始以及其打开时刻中求出一个差。为了确定打开时刻,在测量阶段中实施磁阀的触发。在触发过程中观察触发电流。如果在所述触发电流中发现变化,那就推断出达到打开时刻这种情况。优选在所述测量阶段中将至少几乎恒定的触发电压加载到励磁线圈上。所述能够预先设定的变化尤其是触发电流的平滑度,所述平滑度优选通过所区分的电流信号的最小值的检测来求得。

    用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

    公开(公告)号:CN107104662B

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN201610953777.9

    申请日:2016-11-03

    Abstract: 提出一种用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(54)的方法,其中MOSFET(54)以开关运行来运行,并且其中MOSFET(54)的通过S端子(源极)和D端子(漏极)来表征的区段从基本上不导通的状态(21)切换到基本上导通的状态(23)或相反地切换,并且其中馈送到MOSFET(54)的G端子(栅极)中的驱动电流(12)的值(12a;12b;12c)根据D端子和S端子之间的电压、即DS电压(14)来预先给定,并且其中驱动电流(12)根据DS电压(14)的时间变化在不同的值(12a;12b;12c)之间进行切换。在此所述值(12a;12b;12c)中的至少一个借助调节(43)来预先给定。

    用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

    公开(公告)号:CN107104662A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201610953777.9

    申请日:2016-11-03

    CPC classification number: H03K17/165 H03K2217/0036 H03K17/133

    Abstract: 提出一种用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(54)的方法,其中MOSFET(54)以开关运行来运行,并且其中MOSFET(54)的通过S端子(源极)和D端子(漏极)来表征的区段从基本上不导通的状态(21)切换到基本上导通的状态(23)或相反地切换,并且其中馈送到MOSFET(54)的G端子(栅极)中的驱动电流(12)的值(12a;12b;12c)根据D端子和S端子之间的电压、即DS电压(14)来预先给定,并且其中驱动电流(12)根据DS电压(14)的时间变化在不同的值(12a;12b;12c)之间进行切换。在此所述值(12a;12b;12c)中的至少一个借助调节(43)来预先给定。

    磁阀的提升延迟的确定
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102803689B

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201080026470.5

    申请日:2010-06-01

    CPC classification number: F02D41/20 F02D2041/2055 F02D2041/2058 H01F7/1805

    Abstract: 本发明涉及一种用于确定磁阀的打开延迟时间的方法。此外,本发明涉及一种用于触发内燃机中的喷射装置中的至少一个磁阀的控制设备。为了确定磁阀的当前的打开延迟时间,在此提出,在测量阶段中实施所述磁阀的触发并且从所述磁阀的触发的开始以及其打开时刻中求出一个差。为了确定打开时刻,在测量阶段中实施磁阀的触发。在触发过程中观察触发电流。如果在所述触发电流中发现变化,那就推断出达到打开时刻这种情况。优选在所述测量阶段中将至少几乎恒定的触发电压加载到励磁线圈上。所述能够预先设定的变化尤其是触发电流的平滑度,所述平滑度优选通过所区分的电流信号的最小值的检测来求得。

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