公开(公告)号：CN1280240C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN01811655.8

申请日：2001-06-22

Applicant: 纳幕尔杜邦公司

Inventor： B·比斯比斯

IPC: C05F17/02

CPC classification number: C05F17/0258 ,  E04D12/002 ,  Y02P20/145 ,  Y02W30/43

Abstract: 本发明提供了一种堆肥化处理系统，它包括用于容纳进行堆肥化处理的有机物的箱室。所述箱室具有将有机废物加入其中和将堆肥物质从中移出的入口。所述箱室具有包括复合层合物的斜顶盖，所述复合层合物包括内表面朝向所述箱室的可透过空气和水蒸汽的膜。所述膜的内表面粘合到敞开的格栅层上。所述堆肥化处理系统还可包括将新鲜空气导入到在所述箱室内进行堆肥的有机物中的装置。

公开(公告)号：CN102549210A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080043466.X

申请日：2010-09-17

Applicant: 纳幕尔杜邦公司

Inventor： B·比斯比斯 ,  I·V·布莱特索斯 ,  N·S·布拉布斯

IPC: D06M10/02 ,  D06M10/08 ,  D06M13/256 ,  D06M15/263 ,  D06M15/21 ,  A41D13/008 ,  A41D31/00 ,  B05D7/24 ,  C08J7/18 ,  D21H19/16 ,  H05K9/00

CPC classification number: D06M10/025 ,  A41D31/0066 ,  B05D1/60 ,  B05D3/068 ,  B05D3/142 ,  B05D2201/00 ,  B05D2203/22 ,  D06M10/08 ,  D06M13/256 ,  D06M15/21 ,  D06M15/263 ,  D06M2200/00 ,  D21H19/20 ,  D21H19/58 ,  D21H25/04 ,  H05K9/0079 ,  Y10T428/265 ,  Y10T442/2418

Abstract: 本发明涉及制备静电荷耗散材料的方法，所述方法包括以下步骤：(a)任选地在等离子场中预处理基底；(b)将至少一种单体和至少一种吸湿添加剂闪蒸到真空室中以产生蒸气；(c)冷凝所述基底上的所述蒸气，从而在所述基底上生成由所述单体和所述吸湿添加剂涂层构成的膜；以及(d)固化所述膜的所述单体，从而在所述基底上生成包含吸湿添加剂的聚合物层；其中所述冷凝步骤是在将所述聚合物层限制为约3.0μm的最大厚度的蒸气密度和停留时间条件下进行的。所述静电荷耗散材料可用于保护静电敏感电子元件。

公开(公告)号：CN1437568A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN01811655.8

申请日：2001-06-22

Applicant: 纳幕尔杜邦公司

Inventor： B·比斯比斯

IPC: C05F17/02

CPC classification number: C05F17/0258 ,  E04D12/002 ,  Y02P20/145 ,  Y02W30/43

Abstract: 本发明提供了一种堆肥化处理系统，它包括用于容纳进行堆肥化处理的有机物的箱室。所述箱室具有将有机废物加入其中和将堆肥物质从中移出的入口。所述箱室具有包括复合层合物的斜顶盖，所述复合层合物包括内表面朝向所述箱室的可透过空气和水蒸汽的膜。所述膜的内表面粘合到敞开的格栅层上。所述堆肥化处理系统还可包括将新鲜空气导入到在所述箱室内进行堆肥的有机物中的装置。