公开(公告)号：CN117976546B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410126998.3

申请日：2024-01-29

申请人： 纳宇半导体材料(深圳)有限责任公司

发明人： 叶怀宇 ,  王少刚 ,  薛云 ,  苏瑞盈

IPC分类号： H01L21/48 ,  G01N25/20 ,  H01L23/544

摘要： 本发明涉及一种基于热导率的热测试芯片及其制备方法，包括预处理衬底，预处理衬底包括衬底，衬底内间隔布设有多个P型区域，位于中心区域的P型区域内设有N型区域，各P型区域内设有两间隔设置的P+欧姆接触，N型区域内设有两个间隔设置的N+欧姆接触；预处理衬底上间隔设有第一金属层和二氧化硅，二氧化硅上设有第二金属层，第二金属层上设有氮化硅层和第三金属层,预处理衬底背面设有多个下注入槽，多个下注入槽底部与对应的第二金属层连通，下注入槽设有多晶硅，各下注入槽的槽口覆盖有第四金属层；通过基于热导率的热测试芯片的结构设计以可以模拟真实环境，对热界面材料(TIM)进行热导率测试。

公开(公告)号：CN117976546A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410126998.3

申请日：2024-01-29

申请人： 纳宇半导体材料(深圳)有限责任公司

发明人： 叶怀宇 ,  王少刚 ,  薛云 ,  苏瑞盈

IPC分类号： H01L21/48 ,  G01N25/20 ,  H01L23/544

摘要： 本发明涉及一种基于热导率的热测试芯片及其制备方法，包括预处理衬底，预处理衬底包括衬底，衬底内间隔布设有多个P型区域，位于中心区域的P型区域内设有N型区域，各P型区域内设有两间隔设置的P+欧姆接触，N型区域内设有两个间隔设置的N+欧姆接触；预处理衬底上间隔设有第一金属层和二氧化硅，二氧化硅上设有第二金属层，第二金属层上设有氮化硅层和第三金属层,预处理衬底背面设有多个下注入槽，多个下注入槽底部与对应的第二金属层连通，下注入槽设有多晶硅，各下注入槽的槽口覆盖有第四金属层；通过基于热导率的热测试芯片的结构设计以可以模拟真实环境，对热界面材料(TIM)进行热导率测试。

公开(公告)号：CN117929465A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410120945.0

申请日：2024-01-29

申请人： 纳宇半导体材料(深圳)有限责任公司

发明人： 叶怀宇 ,  王少刚 ,  薛云 ,  苏瑞盈

IPC分类号： G01N25/20 ,  G01N1/28

摘要： 本发明涉及基于热测试芯片的热界面材料的热导率测试方法及系统，测试方法包括如下步骤：制备热测试芯片，包括基板，基板上表面间隔分布有二极管CH、二极管AEFJ与热阻BI与热阻DG；将热测试芯片、TIM材料、散热板烧结封装；将热测试芯片的电极引脚与热导率测试器电连接，将热测试芯片与散热板粘接；在散热板中心处穿装热敏电阻并将热敏电阻与热导率测试器电连接；启动热导率测试系统，对热测试芯片施加固定的电压与电流；根据各热敏电阻及二极管CH、二极管AEFJ测得的温度值及热导率公式，获得TIM材料的热导率；本发明为热界面材料的性能评估提供了一种创新的、更接近真实应用环境的测试方法，能够更准确地测量并反映TIM材料的实际热导率。