公开(公告)号：CN101714566B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200910179411.0

申请日：2009-10-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 田中勉 ,  高德真人 ,  千田满 ,  石原圭一郎

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/02 ,  H01L31/102 ,  H01L31/101 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L31/145

Abstract: 本发明提供了传感器元件、驱动其的方法、输入装置、显示装置和通信装置。传感器元件包括：彼此串联连接的两个二极管元件，以及电容元件，电容元件的一端连接到两个二极管元件之间的结点。二极管元件每个均包括：半导体层，其具有在面内方向上彼此面对的p型半导体区域和n型半导体区域；阳电极，其连接到p型半导体区域；阴电极，其连接到n型半导体区域；栅极绝缘膜，其在层叠方向上面对半导体层；以及栅电极，栅电极面对半导体层，且栅极绝缘膜位于栅电极与半导体层之间。

公开(公告)号：CN101714566A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910179411.0

申请日：2009-10-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 田中勉 ,  高德真人 ,  千田满 ,  石原圭一郎

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/02 ,  H01L31/102 ,  H01L31/101 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L31/145

Abstract: 本发明提供了传感器元件、驱动其的方法、输入装置、显示装置和通信装置。传感器元件包括：彼此串联连接的两个二极管元件，以及电容元件，电容元件的一端连接到两个二极管元件之间的结点。二极管元件每个均包括：半导体层，其具有在面内方向上彼此面对的p型半导体区域和n型半导体区域；阳电极，其连接到p型半导体区域；阴电极，其连接到n型半导体区域；栅极绝缘膜，其在层叠方向上面对半导体层；以及栅电极，栅电极面对半导体层，且栅极绝缘膜位于栅电极与半导体层之间。