公开(公告)号：CN1653623A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03810881.X

申请日：2003-05-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 榎本正 ,  本多俊夫

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H02J7/35 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2063 ,  H01G9/2068 ,  H01G9/2072 ,  Y02E10/542

Abstract: 本发明具有输出特性不同的多个电池的输出由公共的端子输出、并且极力抑制电池间的连接而导致的能量效率降低的构造的电源装置。输出电压和输出电流都不同的多个电池(10a－10c)的输出被调节为相互同一的输出电压后，满足并联关系，从端子(4、5)输出。因各电池的输出为并联输出，所以不象串联那样，出现输出电流小的电池限制整个电源的输出电流的问题。再者，因为是在调节为同一的输出电压后进行连接，所以不产生逆流等的问题。在应用于串联式太阳能电池时，各个串联光电转换元件分配光吸收波长特性，以便最大效率利用太阳光，即使在太阳光的波长分布大大偏离标准分布时，也不降低光电能转换效率。

公开(公告)号：CN1571170A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410034628.X

申请日：2004-04-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 榎本正 ,  本多俊夫

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  H01G9/20

CPC classification number: H01G9/2022 ,  H01G9/2031 ,  H01L51/0037 ,  Y02E10/542

Abstract: 对于含有由半导体细颗粒组成的半导体电极和作为相反电极的金属膜的光电转换器件而言，通过采用旋涂法在金属氧化物(如ITO)的透明电极上形成聚亚乙基二氧噻吩(PEDOT)/聚苯乙烯磺酸(PSS)膜，可显著提高该金属膜对于该金属氧化物膜的粘合性，并且，在该光电转换器件中，可防止由作为相反电极的该金属膜受到不同类型金属导致的污染。此外，采用低温的方法可在金属氧化物膜上很好地形成由半导体细颗粒组成的半导体电极，同时能防止该金属氧化物膜的洗脱，从而得到光电转换器件。

公开(公告)号：CN101002134A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200580026859.9

申请日：2005-06-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 榎本正

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133504

Abstract: 一种将光照射到液晶面板的后表面以显示屏幕的液晶显示装置(1)，其包括视角改善装置(10)，所述视角改善装置(10)通过在液晶面板(2)的显示表面侧减少液晶面板(2)法线方向上预定值或更大的角度的光并散射小于液晶面板(2)法线方向上预定值的角度的光，来处理从光源(7)发出的光。

公开(公告)号：CN1680497A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510065502.3

申请日：2005-03-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 榎本正 ,  坪里惠 ,  菊地稔 ,  守和宏

IPC: C09D4/02 ,  G11B7/24

CPC classification number: G11B7/2542 ,  G11B7/252

Abstract: 本发明实现了形成一种具有极好的流平性而不降低物理特性的硬涂层。在基底上形成信息讯号部分。利用位于透光片和基底之间的结合层使透光片与基底相结合形成透光层。通过向溶剂型硬涂层剂中加入低分子量的活性稀释剂得到硬涂层用组合物。将该硬涂层用组合物通过旋转涂布法均匀的涂布在透光层上。该涂布后的硬涂层用组合物固化成为硬涂层。

公开(公告)号：CN101752404A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253546.7

申请日：2009-12-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 若生仁志 ,  榎本正 ,  蚁坂裕一 ,  长谷川隼人 ,  谷田部透

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5275 ,  G02F1/133603

Abstract: 本发明涉及光的取出效率高的发光装置及具备了该发光装置的显示装置。在基板(22)上，设置有从基板(22)侧依次具有透明电极(24)、有机EL层(25)及反射电极(26)的发光元件(23)。在基板(22)的透明电极(24)侧的表面，设置有在X轴方向上具有纳米级规则性的立体构造(22A)。针对透明电极(24)、有机EL层(25)及反射电极(26)中的至少透明电极(24)，在与基板(22)相反侧的表面设置有模仿了立体构造(22A)的立体构造(24A)。

公开(公告)号：CN100411195C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200410034628.X

申请日：2004-04-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 榎本正 ,  本多俊夫

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  H01G9/20 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01G9/2022 ,  H01G9/2031 ,  H01L51/0037 ,  Y02E10/542

Abstract: 对于含有由半导体细颗粒组成的半导体电极和作为相反电极的金属膜的光电转换器件而言，通过采用旋涂法在金属氧化物(如ITO)的透明电极上形成聚亚乙基二氧噻吩(PEDOT)/聚苯乙烯磺酸(PSS)膜，可显著提高该金属膜对于该金属氧化物膜的粘合性，并且，在该光电转换器件中，可防止由作为相反电极的该金属膜受到不同类型金属导致的污染。此外，采用低温的方法可在金属氧化物膜上很好地形成由半导体细颗粒组成的半导体电极，同时能防止该金属氧化物膜的洗脱，从而得到光电转换器件。