公开(公告)号：CN101308845B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810100204.7

申请日：2008-05-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 锅义博 ,  波多野正喜 ,  浅见博 ,  森本明大

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/146 ,  H01L23/482 ,  H01L23/367 ,  H01L21/822 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/481 ,  H01L31/0203 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，具有形成在有源表面上的第一电子电路和第二电子电路；焊盘电极，通过连接到第一电子电路和/或第二电子电路形成在有源表面上；第一开口，从半导体基板的与有源表面的相反侧的表面朝着焊盘电极沿着半导体基板的深度形成到某一位置；第二开口，形成为从第一开口的底部表面到达焊盘电极；绝缘层，通过覆盖第一开口和第二开口的侧壁表面形成；传导层，通过至少覆盖绝缘层的内壁表面和第二开口的底部表面而形成；第三开口，从半导体基板的与有源表面相反侧的表面沿着半导体基板的深度形成到某一位置；以及热绝缘体，嵌镶在第三开口中。

公开(公告)号：CN101308845A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810100204.7

申请日：2008-05-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 锅义博 ,  波多野正喜 ,  浅见博 ,  森本明大

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/146 ,  H01L23/482 ,  H01L23/367 ,  H01L21/822 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/481 ,  H01L31/0203 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，具有形成在有源表面上的第一电子电路和第二电子电路；焊盘电极，通过连接到第一电子电路和/或第二电子电路形成在有源表面上；第一开口，从半导体基板的与有源表面的相反侧的表面朝着焊盘电极沿着半导体基板的深度形成到某一位置；第二开口，形成为从第一开口的底部表面到达焊盘电极；绝缘层，通过覆盖第一开口和第二开口的侧壁表面形成；传导层，通过至少覆盖绝缘层的内壁表面和第二开口的底部表面而形成；第三开口，从半导体基板的与有源表面相反侧的表面沿着半导体基板的深度形成到某一位置；以及热绝缘体，嵌镶在第三开口中。