公开(公告)号：CN1822458A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610008584.2

申请日：2006-02-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 我妻新一 ,  内田史朗

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/343 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2219 ,  H01S5/222 ,  H01S5/32325

Abstract: 本发明公开了一种有效参数型半导体激光器，其具有依次向上设置的下覆层、有源层和上覆层，所述上覆层形成为条形脊结构，其中形成所述条形脊结构的底部和斜坡的所述上覆层用由两层或更多层低折射率层形成的层结构的掩埋层覆盖，以防止激光的吸收，吸收振荡波长激光的光吸收层插入在它们之间。该半导体激光器防止由于高阶模式所导致的拐点，并因此而实现高的输出水平。

公开(公告)号：CN1681174A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510074156.5

申请日：2005-02-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 我妻新一 ,  内田史朗

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/40

CPC classification number: G11B7/1275 ,  G11B2007/0006 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/32325 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器，其具有这样的配置，即能够修正当在不规则表面条件下进行外延生长时折射率之间的差别。形成一种半导体激光器，其具有化合物半导体的半导体激光器元件，该化合物半导体包含至少Al和In并且具有至少p型包层、有源层和n型包层，并且该半导体激光器具有这样的配置：其中与n型包层的Al成分相比至少部分p型包层具有更大的量的Al成分，或者与p型包层的Al成分相比至少部分n型包层具有更小的量的Al成分。

公开(公告)号：CN100470973C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200610008584.2

申请日：2006-02-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 我妻新一 ,  内田史朗

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/343 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2219 ,  H01S5/222 ,  H01S5/32325

Abstract: 本发明公开了一种有效参数型半导体激光器，其具有依次向上设置的下覆层、有源层和上覆层，所述上覆层形成为条形脊结构，其中形成所述条形脊结构的底部和斜坡的所述上覆层用由两层或更多层低折射率层形成的层结构的掩埋层覆盖，以防止激光的吸收，吸收振荡波长激光的光吸收层插入在它们之间。该半导体激光器防止由于高阶模式所导致的拐点，并因此而实现高的输出水平。