公开(公告)号：CN1185530C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN01124568.9

申请日：2001-08-10

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 桥本诚 ,  佐藤拓生

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368

Abstract: 薄膜半导体器件包括多个彼此交叉的信号和栅极互连。置于交叉点处的像素至少有像素电极、薄膜晶体管和为薄膜晶体管遮光的光屏蔽带。光屏蔽带由第一导电层制成，它至少有一部分用作栅极互连。栅极由不同于第一导电层的第二导电层制成。用作栅极互连的第一导电层经接触孔与每个像素区中构成栅极的第二导电层电连接。这样就改善了用作有源矩阵液晶显示单元驱动衬底的薄膜半导体器件的像素孔径率。

公开(公告)号：CN1338658A

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：CN01124568.9

申请日：2001-08-10

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 桥本诚 ,  佐藤拓生

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368

Abstract: 薄膜半导体器件包括多个彼此交叉的信号和栅极互连。置于交叉点处的像素至少有像素电极、薄膜晶体管和为薄膜晶体管遮光的光屏蔽带。光屏蔽带由第一导电层制成,它至少有一部分用作栅极互连。栅极由不同于第一导电层的第二导电层制成。用作栅极互连的第一导电层经接触孔与每个像素区中构成栅极的第二导电层电连接。这样就改善了用作有源矩阵液晶显示单元驱动衬底的薄膜半导体器件的像素孔径率。