公开(公告)号：CN101618855A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910150450.8

申请日：2004-01-08

申请人： 索尼株式会社

发明人： D·P·戈塞恩 ,  梶浦尚志 ,  丸山龙一郎 ,  白石诚司 ,  黄厚金 ,  角野宏治 ,  和智滋明 ,  阿多诚文

IPC分类号： B82B3/00 ,  C01B31/02 ,  G11B5/84 ,  G11B13/00 ,  H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

摘要： 本发明公开了制造管状碳分子的方法和制造记录设备的方法。该制造管状碳分子的方法能够以更精细的间隔和规则排列碳纳米管。通过基于调制热分布(11)的熔化将催化剂排列在由半导体如硅(Si)组成的基材(10)上，所述基材包含作为催化剂的铁。所述热分布(11)是通过用例如衍射光栅(12)使能量束(12)衍射形成的。分布催化剂的方法包括例如将铁以平面或凸起的形式沉积对应于所述热分布(11)的位置中，或者还包括使用其原始形式来将其转印到另一种基材上。使用所述分布催化剂生长碳纳米管。所述生长纳米管可用于记录设备、场致电子发射元件或FED。