公开(公告)号：CN102810543A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210162821.6

申请日：2012-05-23

Applicant: 索尼公司

Inventor： 永泽耕一 ,  池田雅延 ,  村田康博

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G09F9/33 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76804 ,  H01L27/1244 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了半导体装置及其制造方法、显示装置和电子装置。其中，该半导体装置包括：下层侧的第一导电体和上层侧的第二导电体；厚膜绝缘层，设置在第一导电体和第二导电体之间；以及接触部，被形成为仿效对于绝缘层的通孔的内表面形状并且电连接第一导电体和第二导电体，其中，通孔的锥度角是锐角。