公开(公告)号：CN100407406C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN02128673.6

申请日：2002-08-12

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 神田敦之 ,  芳贺泰

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0266

Abstract: 本发明涉及一种在同一衬底上具有不同耐压漏极的高压MOS晶体管与低压MOS晶体管的半导体装置的制造方法，并涉及一种根据此方法制造的半导体装置。在该衬底上形成的栅极氧化膜的中央部位上形成栅极后，在包括该栅极的衬底的全部表面上形成氧化硅膜，通过全面蚀刻其氧化硅膜，在该栅极的侧面形成由氧化硅膜形成的侧壁。对应于形成晶体管的沟道，注入杂质离子，在漏区及源区形成时，预先不要使杂质离子进入高压MOS晶体管的栅极氧化膜周边的下部区域，至少要在栅极氧化膜的周边部分形成抗蚀膜。通过这样的构成方法，可以在不损害各自特性的情况下，高效率地使高压及低压MOS晶体管在同一衬底上形成。

公开(公告)号：CN1414620A

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN02146360.3

申请日：2002-10-24

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 神田敦之 ,  芳贺泰

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857

Abstract: 本发明涉及一种高效率地在同一衬底上形成高压MOS晶体管与低压MOS晶体管，同时又可以减小对各晶体管特性损坏的半导体装置制造方法。在衬底(100)上形成的第一氧化膜(110)及第二氧化膜(112)中，去除全部低压晶体管区LV的氧化膜，而保留全部高压晶体管区HV的氧化膜。然后，在衬底(100)的全部表面，形成比标准厚度厚的约2000用于构成侧壁的第六氧化膜(119)，过度蚀刻第六氧化膜，形成侧壁(119SW)。利用抗蚀膜(R15A)，通过蚀刻，将不需要的氧化膜(112)去除，在高压nMOS区HVn的元件形成区，分别打开应成为漏极区与源极区的漏极－源极形成区。不必去除抗蚀膜(R15A)，向开口的漏极－源极形成区注入n型杂质离子。

公开(公告)号：CN1200454C

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN02146360.3

申请日：2002-10-24

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 神田敦之 ,  芳贺泰

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857

Abstract: 本发明涉及一种高效率地在同一衬底上形成高压MOS晶体管与低压MOS晶体管，同时又可以减小对各晶体管特性损坏的半导体装置制造方法。在衬底(100)上形成的第一氧化膜(110)及第二氧化膜(112)中，去除全部低压晶体管区LV的氧化膜，而保留全部高压晶体管区HV的氧化膜。然后，在衬底(100)的全部表面，形成比标准厚度厚的约2000用于构成侧壁的第六氧化膜(119)，过度蚀刻第六氧化膜，形成侧壁(119SW)。利用抗蚀膜(R15A)，通过蚀刻，将不需要的氧化膜(112)去除，在高压nMOS区HVn的元件形成区，分别打开应成为漏极区与源极区的漏极-源极形成区。不必去除抗蚀膜(R15A)，向开口的漏极-源极形成区注入n型杂质离子。

公开(公告)号：CN1412833A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN02146325.5

申请日：2002-10-18

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 神田敦之 ,  芳贺泰

IPC: H01L21/70

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823892

Abstract: 本发明涉及一种高效率地在同一衬底上形成高压MOS晶体管与低压MOS晶体管，同时又可以减小对各晶体管特性损坏的技术。在衬底(100)上形成的第一氧化膜(110)及第二氧化膜(112)中，去除全部低压晶体管区LV的氧化膜，而保留全部高压晶体管区HV的氧化膜。然后，在衬底(100)的全部表面，当用于侧壁的第六氧化膜(119)形成后，在全部高压晶体管区HV形成抗蚀膜(R17)，实施过度蚀刻直至露出低压晶体管区LV的衬底(100)，只在低压晶体管区LV侧形成侧壁，让高压晶体管区HV侧的氧化膜(119)存留。其后，利用抗蚀膜(R15B)，通过蚀刻将不需要的氧化膜(119)和(112)去除，在高压nMOS区HVn的元件形成区，分别打开应成为漏极区与源极区的漏极－源极形成区。不必去除抗蚀膜(R15B)，向开口的漏极－源极形成区引入n型杂质离子。

公开(公告)号：CN1237599C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN02146502.9

申请日：2002-10-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 神田敦之 ,  芳贺泰

IPC: H01L21/70

CPC classification number: H01L29/66606 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823892

Abstract: 本发明涉及一种在同一衬底上高效率地形成高压晶体管与低压晶体管，同时又可以减小对各晶体管特性损坏的技术。首先，形成绝缘膜。高压晶体管的漏极-源极形成区上的绝缘膜比低压晶体管的漏极-源极形成区上的绝缘膜厚。随后，在绝缘膜上形成栅极。接着，在低压晶体管的栅极侧面形成侧壁，在各晶体管的漏极-源极形成区的绝缘膜处形成开口部分。在高压晶体管的漏极-源极形成区上的较厚的绝缘膜处形成开口部分时，采用的蚀刻不使低压晶体管的栅极侧面形成的侧壁的宽度变小。然后，通过开口部分导入杂质元素，形成各晶体管的漏极-源极区。

公开(公告)号：CN1213473C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN02146325.5

申请日：2002-10-18

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 神田敦之 ,  芳贺泰

IPC: H01L21/70

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823892

Abstract: 本发明涉及一种高效率地在同一衬底上形成高压MOS晶体管与低压MOS晶体管，同时又可以减小对各晶体管特性损坏的技术。在衬底(100)上形成的第一氧化膜(110)及第二氧化膜(112)中，去除全部低压晶体管区LV的氧化膜，而保留全部高压晶体管区HV的氧化膜。然后，在衬底(100)的全部表面，当用于侧壁的第六氧化膜(119)形成后，在全部高压晶体管区HV形成抗蚀膜(R17)，实施过度蚀刻直至露出低压晶体管区LV的衬底(100)，只在低压晶体管区LV侧形成侧壁，让高压晶体管区HV侧的氧化膜(119)存留。其后，利用抗蚀膜(R15B)，通过蚀刻将不需要的氧化膜(119)和(112)去除，在高压nMOS区HVn的元件形成区，分别打开应成为漏极区与源极区的漏极-源极形成区。不必去除抗蚀膜(R15B)，向开口的漏极-源极形成区引入n型杂质离子。

公开(公告)号：CN1412834A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN02146502.9

申请日：2002-10-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 神田敦之 ,  芳贺泰

IPC: H01L21/70

CPC classification number: H01L29/66606 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823892

Abstract: 本发明涉及一种在同一衬底上高效率地形成高压晶体管与低压晶体管，同时又可以减小对各晶体管特性损坏的技术。首先，形成绝缘膜。高压晶体管的漏极－源极形成区上的绝缘膜比低压晶体管的漏极－源极形成区上的绝缘膜厚。随后，在绝缘膜上形成栅极。接着，在低压晶体管的栅极侧面形成侧壁，在各晶体管的漏极－源极形成区的绝缘膜处形成开口部分。在高压晶体管的漏极－源极形成区上的较厚的绝缘膜处形成开口部分时，采用的蚀刻不使低压晶体管的栅极侧面形成的侧壁的宽度变小。然后，通过开口部分导入杂质元素，形成各晶体管的漏极－源极区。

公开(公告)号：CN1402329A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02128673.6

申请日：2002-08-12

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 神田敦之 ,  芳贺泰

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0266

Abstract: 本发明涉及一种在同一衬底上具有不同耐压漏极的高压MOS晶体管与低压MOS晶体管的半导体装置的制造方法，并涉及一种根据此方法制造的半导体装置。在该衬底上形成的栅极氧化膜的中央部位上形成栅极后，在包括该栅极的衬底的全部表面上形成氧化硅膜，通过全面蚀刻其氧化硅膜，在该栅极的侧面形成由氧化硅膜形成的侧壁。对应于形成晶体管的沟道，注入杂质离子，在漏区及源区形成时，预先不要使杂质离子进入高压MOS晶体管的栅极氧化膜周边的下部区域，至少要在栅极氧化膜的周边部分形成抗蚀膜。通过这样的构成方法，可以在不损害各自特性的情况下，高效率地使高压及低压MOS晶体管在同一衬底上形成。