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发明公开
氢氧化细菌的培养方法及氢氧化细菌的培养装置审中-公开

公开(公告)号：CN118048254A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311344755.9

申请日：2023-10-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 秀嶋保利 , 富田奈绪子 , 前田郁也

IPC: C12N1/20 , C12M1/00 , C12M1/04 , C12M1/12 , C01B3/08

Abstract: 本发明提供氢氧化细菌的培养方法及氢氧化细菌的培养装置，无需储存大量的氢即可以向培养基供给氢，同时抑制能量消耗。一种氢氧化细菌的培养方法，其特征在于，具有下述工序：氢产生工序，使金属体和包含水的液体接触，使所述金属体发生腐蚀反应，从而产生氢；以及氢供给工序，向已接种氢氧化细菌的培养基供给所产生的所述氢。

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