公开(公告)号：CN101329199A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810126649.2

申请日：2008-06-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 石井良 ,  佐藤尚 ,  国森隆志

IPC: G01J1/02 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G01J1/46 ,  G01J1/02 ,  G01J1/0228 ,  G01J1/0238

Abstract: 本发明提供一种传感电路，使用光电变换特性相同的a－Si TFT(1)和a－Si TFT(2)。利用滤光器(3)减少a－Si TFT(1)的入射光量，使a－Si TFT(1)的光劣化进展延迟。根据a－Si TFT(1、2)的漏电流的测量值(i1’、i2’)、存储器中存储的累计照度－光劣化率描述数据，确定a－Si TFT(2)的光劣化率(d2)或a－Si TFT(1)的光劣化率(d1)，利用确定的光劣化率(d2)或(d1)来求出环境光的照度。由此，可使用2个检测特性相同的检测元件正确地校正检测元件因随时间劣化而引起的检测值的偏差。