公开(公告)号：CN100498206C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200410035310.3

申请日：2004-04-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  吉田纩幸

IPC: G01B7/28

CPC classification number: G06K9/0002

Abstract: 本发明提供一种静电电容检测装置，包括配置成M行N列矩阵状的M根个别电源线、N根个别输出线、和设置在这些交点的静电电容检测元件；静电电容检测元件包括信号检测元件和信号放大元件；信号检测元件包括电容检测电极和电容检测电介质膜；信号放大元件由包括栅电极、栅绝缘膜和半导体膜所构成的信号放大用MIS型薄膜半导体装置所构成。这样，可以优良的静电电容检测装置。

公开(公告)号：CN1538143A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410035310.3

申请日：2004-04-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  吉田纩幸

IPC: G01B7/28

CPC classification number: G06K9/0002

Abstract: 本发明提供一种静电电容检测装置，包括配置成M行N列矩阵状的M根个别电源线、N根个别输出线、和设置在这些交点的静电电容检测元件；静电电容检测元件包括信号检测元件和信号放大元件；信号检测元件包括电容检测电极和电容检测电介质膜；信号放大元件由包括栅电极、栅绝缘膜和半导体膜所构成的信号放大用MIS型薄膜半导体装置所构成。这样，可以优良的静电电容检测装置。