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公开(公告)号:CN1586003A
公开(公告)日:2005-02-23
申请号:CN02822490.6
申请日:2002-07-30
Applicant: 米歇尔技术公司
IPC: H01L21/306 , B08B7/00 , H01L21/00
CPC classification number: C23G5/00 , B08B7/0021 , B81C1/00841 , B81C2201/117 , H01L21/02063 , H01L21/67051 , Y10S134/902
Abstract: 一种用于清洗微电子基片的方法,它包括将基片放入压力腔。使包括密相二氧化碳的处理流体通过腔循环,使得处理流体接触基片。在循环处理流体的步骤的至少一部分期间,循环地调整二氧化碳的相。
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公开(公告)号:CN1628000A
公开(公告)日:2005-06-15
申请号:CN02804975.6
申请日:2002-02-14
Applicant: 米歇尔技术公司
CPC classification number: B08B7/0021 , H01L21/02063
Abstract: 本发明涉及一种在微电子器件的制造过程中清洁和去除水、滞留的溶质和颗粒物质的方法,包括以下步骤:(a)提供在基板表面上具有水和滞留的溶质的半成品集成电路、MEM器件或光电器件;(b)提供稠化二氧化碳清洁组合物,该清洁组合物含有二氧化碳和任选地、但优选地含有清洁助剂;(c)将表面部分浸渍入稠化二氧化碳干燥组合物中;然后(d)从表面部分去除所述清洁组合物。
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