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公开(公告)号：CN103858182B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380003369.1
申请日：2013-03-22
Applicant: 积水纳米涂层科技有限公司 , 积水化学工业株式会社
CPC classification number: B29D11/00788 , B29D11/0073 , C23C14/086 , G02F1/13338 , G06F3/0202 , G06F3/044
Abstract: 本发明涉及一种透光性导电性膜，其含有：(A)透光性支持层、(B)光学调整层及(C)含有氧化铟锡的透光性导电层，所述光学调整层(B)直接或经由一层以上的其它层配置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，且所述透光性导电层(C)至少经由光学调整层(B)配置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，其特征在于，所述光学调整层(B)含有氧化锆，且厚度为0.4～3μm，且在采用薄膜法的XRD测定中，源自氧化锆的2θ＝28°附近的峰值相对于源自氧化铟锡的(222)面的峰值之比为0.1～1.0。
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公开(公告)号：CN104428844B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201380036425.1
申请日：2013-08-05
Applicant: 积水纳米涂层科技有限公司 , 积水化学工业株式会社
CPC classification number: G06F3/041 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明提供一种具有优异的蚀刻性的含有(A)透光性支持层及(B)含有氧化铟的透光性导电层的透光性导电膜。作为其解决方法，提供一种透光性导电膜，其含有：(A)含有高分子树脂的透光性支持层、及(B)含有氧化铟的透光性导电层，所述透光性导电层(B)直接或隔着一层上的其它层设置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，其特征在于，由(Ibα-Ibα-0.025°)/(Iaα-Iaα-0.025°)表示的函数f(α)的平均值为0.08～5.00。
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公开(公告)号：CN103858182A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201380003369.1
申请日：2013-03-22
Applicant: 积水纳米涂层科技有限公司 , 积水化学工业株式会社
CPC classification number: B29D11/00788 , B29D11/0073 , C23C14/086 , G02F1/13338 , G06F3/0202 , G06F3/044
Abstract: 本发明涉及一种透光性导电性膜，其含有：(A)透光性支持层、(B)光学调整层及(C)含有氧化铟锡的透光性导电层，所述光学调整层(B)直接或经由一层以上的其它层配置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，且所述透光性导电层(C)至少经由光学调整层(B)配置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，其特征在于，所述光学调整层(B)含有氧化锆，且厚度为0.4～3μm，且在采用薄膜法的XRD测定中，源自氧化锆的2θ＝28°附近的峰值相对于源自氧化铟锡的(222)面的峰值之比为0.1～1.0。
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公开(公告)号：CN104011806B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201280064236.0
申请日：2012-12-27
Applicant: 积水化学工业株式会社 , 积水纳米涂层科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种透光性导电膜，消除在将透光性导电层的厚度薄层化到比20nm更薄的程度时产生的问题。一种透光性导电膜，其包括：(A)透光性支持层、及(B)透光性导电层，其中，所述透光性导电层(B)直接或隔着一层以上其他层配置在所述透光性支持层(A)的至少一面上，所述透光性导电层(B)的厚度小于20nm，且与所述透光性导电层(B)相邻且位于所述透光性支持层(A)一侧的面的平均表面粗糙度Ra为0.1～1nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104428844A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201380036425.1
申请日：2013-08-05
Applicant: 积水纳米涂层科技有限公司 , 积水化学工业株式会社
CPC classification number: G06F3/041 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明提供一种具有优异的蚀刻性的含有(A)透光性支持层及(B)含有氧化铟的透光性导电层的透光性导电膜。作为其解决方法，提供一种透光性导电膜，其含有：(A)含有高分子树脂的透光性支持层、及(B)含有氧化铟的透光性导电层，所述透光性导电层(B)直接或隔着一层上的其它层设置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，其特征在于，由(Ibα-Ibα-0.025°)/(Iaα-Iaα-0.025°)表示的函数f(α)的平均值为0.08～5.00。
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公开(公告)号：CN104011806A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201280064236.0
申请日：2012-12-27
Applicant: 积水化学工业株式会社 , 积水纳米涂层科技有限公司
CPC classification number: G06F3/044
Abstract: 本发明提供一种透光性导电膜，消除在将透光性导电层的厚度薄层化到比20nm更薄的程度时产生的问题。一种透光性导电膜，其包括：(A)透光性支持层、及(B)透光性导电层，其中，所述透光性导电层(B)直接或隔着一层以上其他层配置在所述透光性支持层(A)的至少一面上，所述透光性导电层(B)的厚度小于20nm，且与所述透光性导电层(B)相邻且位于所述透光性支持层(A)一侧的面的平均表面粗糙度Ra为0.1～1nm。
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公开(公告)号：CN113632321A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080024502.1
申请日：2020-03-23
Applicant: 积水化学工业株式会社
Abstract: 本发明的问题是提供一种低温弯折耐性更高的λ/4型电波吸收体，并通过提供一种λ/4型电波吸收体来解决该问题，所述电波吸收体具有电阻膜、电介质层以及反射层，且所述电介质层具有自我修复性，该性质如下：将直径0.5mm的针从电波吸收体的与反射层侧相反侧的表面垂直地插入吸收体，贯穿至电波吸收体的背面，贯穿10秒后拔出，在室温下静置7天，静置后，通过彩色3D激光显微镜(VK8710，Keyence公司制造，或其同等品)，测定电波吸收体的开孔侧的相互距离5μm的任意1000个点处的孔的深度，从其平均值(孔的平均深度)中减去电波吸收体中除了电介质层以及反射层以外的层的厚度而得到的值小于电介质层的厚度(当电介质层包含多层时，所述电介质层的厚度为多层的厚度之和)的4/5。
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公开(公告)号：CN114467370A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202080067626.8
申请日：2020-09-24
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H05K9/00 , B32B27/36 , B32B27/30 , B32B27/28 , B32B27/08 , B32B7/10 , B32B15/20 , B32B15/082 , B32B15/08 , B32B33/00
Abstract: 本发明提供具备优异的电波吸收性能的λ/4型电波吸收体。本发明涉及一种λ/4型电波吸收体，其为包含电阻膜、电介质层和反射层的λ/4型电波吸收体，其中，根据热重质谱联用分析测定，由质量18的峰面积求得的水分量为0.7mg/cm2以下。
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