公开(公告)号：CN102639643B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180004570.2

申请日：2011-03-18

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 谷川满 ,  渡边贵志 ,  森口慎太郎 ,  乾靖 ,  国广良隆 ,  山崎亮介 ,  沖阿由子 ,  家田泰享 ,  金千鹤 ,  小林佑辅

IPC: C08L83/07 ,  C08L83/05 ,  C08L83/14 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L23/296 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08G77/52 ,  C08G77/80 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  H01L33/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种对于腐蚀性气体具有高阻气性，即使在苛刻的环境下使用也不易产生裂纹或剥离的光半导体装置用密封剂。本发明涉及的光半导体装置用密封剂包含：第1有机硅树脂，第2有机硅树脂，以及硅氢化反应用催化剂，所述第1有机硅树脂是第1有机硅树脂A和第1有机硅树脂B中的至少一种，所述第1有机硅树脂A由下述式(1A)表示，不含与硅原子键合的氢原子，并且具有芳基和烯基，所述第1有机硅树脂B由下述式(1B)表示，不含与硅原子键合的氢原子，并且具有芳基和烯基；所述第2有机硅树脂是第2有机硅树脂A和第2有机硅树脂B中的至少一种，所述第2有机硅树脂A由下述式(51A)表示，并且具有芳基和与硅原子直接键合的氢原子，所述第2有机硅树脂B由下述式(51B)表示，并且具有芳基和与硅原子直接键合的氢原子。

公开(公告)号：CN102639643A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201180004570.2

申请日：2011-03-18

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 谷川满 ,  渡边贵志 ,  森口慎太郎 ,  乾靖 ,  国广良隆 ,  山崎亮介 ,  沖阿由子 ,  家田泰享 ,  金千鹤 ,  小林佑辅

IPC: C08L83/07 ,  C08L83/05 ,  C08L83/14 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L23/296 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08G77/52 ,  C08G77/80 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  H01L33/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种对于腐蚀性气体具有高阻气性，即使在苛刻的环境下使用也不易产生裂纹或剥离的光半导体装置用密封剂。本发明涉及的光半导体装置用密封剂包含：第1有机硅树脂，第2有机硅树脂，以及硅氢化反应用催化剂，所述第1有机硅树脂是第1有机硅树脂A和第1有机硅树脂B中的至少一种，所述第1有机硅树脂A由下述式(1A)表示，不含与硅原子键合的氢原子，并且具有芳基和烯基，所述第1有机硅树脂B由下述式(1B)表示，不含与硅原子键合的氢原子，并且具有芳基和烯基；所述第2有机硅树脂是第2有机硅树脂A和第2有机硅树脂B中的至少一种，所述第2有机硅树脂A由下述式(51A)表示，并且具有芳基和与硅原子直接键合的氢原子，所述第2有机硅树脂B由下述式(51B)表示，并且具有芳基和与硅原子直接键合的氢原子。