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公开(公告)号：CN1735960A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200380100254.0
申请日：2003-10-07
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/50
Abstract: 在等离子体成膜设备中，连接到电源(4)的两个第一种电极(51)和两个接地的第二种电极(52)以第二种电极(52)、第一种电极(51)、第一种电极(51)和第二种电极(52)的顺序安置。在中心第一种电极(51)之间形成的第一种流道(50a)使用于形成到膜中的原材料气体(第一种气体)从其中通过。在两侧的第一种和第二种电极(51、52)之间形成的第二种流道的等离子体放电空间(50b)使可激发气体(第二种气体)从其中通过，可激发气体被等离子体激发使得原材料可形成到膜中，但是可激发气体本身仅仅被激发，但是不形成到膜中。那些气体汇集在第一种和第二种流道之间的交叉部分(20c)，通过共同喷气通道(25a)喷出。这样可以防止设备组成构件例如电极被膜粘附。
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公开(公告)号：CN106573409A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580039609.2
申请日：2015-07-29
Applicant: 积水化学工业株式会社
Abstract: 本发明的膜成形体(1)在膜(2)的表面(2a)上形成有彼此相隔地配置的凹状或凸状的压花部(3)，对多个压花部(3)进行了配置，使在膜(2)的表面上形成由多个压花部(3)、及将这些多个压花部(3)各自之间连结的假想线(4a)包围的包围区域(4)。
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公开(公告)号：CN1811012A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610005949.6
申请日：2003-10-07
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: C23C16/513 , H01L21/205
Abstract: 一种包含加工头3的等离子体表面加工设备。加工头3包括其上设置有第一种流道50a的电场施加电极51和其上设置有第二种流道50b的接地电极52，通过在电极51、52之间施加电场产生等离子体放电。加工头3的下表面与基材W平行相对。在加工头3的下表面中，设置有与所述第一种流道50a连通的第一种喷气口25a和与所述第二种流道50b连通的第二种喷气口25b。喷气口25a、25b在将基材W相对于加工头3转移的方向上彼此分离。第一种气体通过第一种流道50a并通过第一种喷气口25a喷出。第二种气体通过第二种流道50b时被激发并通过第二种喷气口25b喷出。第一种气体与激发的第二种气体接触使得第一种气体被激发并与基材W接触，从而加工基材W。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111907924A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010794604.3
申请日：2015-07-29
Applicant: 积水化学工业株式会社
Abstract: 本发明的膜成形体(1)在膜(2)的表面(2a)上形成有彼此相隔地配置的凹状或凸状的压花部(3)，对多个压花部(3)进行了配置，使在膜(2)的表面上形成由多个压花部(3)、及将这些多个压花部(3)各自之间连结的假想线(4a)包围的包围区域(4)。
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公开(公告)号：CN100433263C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200480018059.8
申请日：2004-06-24
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , C23C16/455 , H05H1/46
Abstract: 在用于将处理气体通过孔排比如狭缝喷射到有待处理的物体的表面的处理设备中，即使该孔排很短，具有大面积的物体的表面也可以被有效地处理。多个电极板(11，12)被并排地设置于等离子表面处理设备(M)的处理器(1)上。狭缝状的孔排(10a)形成于相邻的电极板之间，并且由并排设置的孔排(10a)组成孔排组(100)。该物体(W)通过移动机构(4)沿着每个狭缝(10a)的延伸方向移动。
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公开(公告)号：CN106573409B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201580039609.2
申请日：2015-07-29
Applicant: 积水化学工业株式会社
Abstract: 本发明的膜成形体(1)在膜(2)的表面(2a)上形成有彼此相隔地配置的凹状或凸状的压花部(3)，对多个压花部(3)进行了配置，使在膜(2)的表面上形成由多个压花部(3)、及将这些多个压花部(3)各自之间连结的假想线(4a)包围的包围区域(4)。
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公开(公告)号：CN100423194C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200380100254.0
申请日：2003-10-07
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/50
Abstract: 在等离子体成膜设备中，连接到电源(4)的两个第一种电极(51)和两个接地的第二种电极(52)以第二种电极(52)、第一种电极(51)、第一种电极(51)和第二种电极(52)的顺序安置。在中心第一种电极(51)之间形成的第一种流道(50a)使用于形成到膜中的原材料气体(第一种气体)从其中通过。在两侧的第一种和第二种电极(51、52)之间形成的第二种流道的等离子体放电空间(50b)使可激发气体(第二种气体)从其中通过，可激发气体被等离子体激发使得原材料可形成到膜中，但是可激发气体本身仅仅被激发，但是不形成到膜中。那些气体汇集在第一种和第二种流道之间的交叉部分(20c)，通过共同喷气通道(25a)喷出。这样可以防止设备组成构件例如电极被膜粘附。
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公开(公告)号：CN1833313A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480018059.8
申请日：2004-06-24
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , C23C16/455 , H05H1/46
Abstract: 在用于将处理气体通过孔排比如狭缝喷射到有待处理的物体的表面的处理设备中，即使该孔排很短，具有大面积的物体的表面也可以被有效地处理。多个电极板(11，12)被并排地设置于等离子表面处理设备(M)的处理器(1)上。狭缝状的孔排(10a)形成于相邻的电极板之间，并且由并排设置的孔排(10a)组成孔排组(100)。该物体(W)通过移动机构(4)沿着每个狭缝(10a)的延伸方向移动。
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