公开(公告)号：CN117908336A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410142112.4

申请日：2016-11-11

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： A·库里岑 ,  刘晔 ,  O·霍德金

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  G02F1/03

摘要： 本发明涉及具有涂覆于圆柱形对称元件(例如，滚筒)的外表面上的靶材料(例如氙)的激光产生的等离子体光源。实施例包含可经优化以减少对所述滚筒的照射损坏的预脉冲布置及可用来减少对所述滚筒的照射损坏的脉冲修整单元。另外，揭示实施例，其中圆柱形对称元件的表面形成有具有大于1mm的凹槽深度的多个凹槽及聚焦激光束且建立照射位点以从所述靶材料产生等离子体的聚焦单元，其中所述照射位点远离凹槽表面部分以保护所述表面部分免于照射损坏。

公开(公告)号：CN108351601A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680065693.X

申请日：2016-11-11

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： A·库里岑 ,  刘晔 ,  O·霍德金

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC分类号： H05G2/008 ,  G02F1/0327 ,  G02F1/353 ,  G02F2203/26

摘要： 本发明涉及具有涂覆于圆柱形对称元件(例如，滚筒)的外表面上的靶材料(例如氙)的激光产生的等离子体光源。实施例包含可经优化以减少对所述滚筒的照射损坏的预脉冲布置及可用来减少对所述滚筒的照射损坏的脉冲修整单元。另外，揭示实施例，其中圆柱形对称元件的表面形成有具有大于1mm的凹槽深度的多个凹槽及聚焦激光束且建立照射位点以从所述靶材料产生等离子体的聚焦单元，其中所述照射位点远离凹槽表面部分以保护所述表面部分免于照射损坏。

公开(公告)号：CN112859533A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011625497.8

申请日：2016-11-11

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： A·库里岑 ,  刘晔 ,  O·霍德金

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及具有涂覆于圆柱形对称元件(例如，滚筒)的外表面上的靶材料(例如氙)的激光产生的等离子体光源。实施例包含可经优化以减少对所述滚筒的照射损坏的预脉冲布置及可用来减少对所述滚筒的照射损坏的脉冲修整单元。另外，揭示实施例，其中圆柱形对称元件的表面形成有具有大于1mm的凹槽深度的多个凹槽及聚焦激光束且建立照射位点以从所述靶材料产生等离子体的聚焦单元，其中所述照射位点远离凹槽表面部分以保护所述表面部分免于照射损坏。

公开(公告)号：CN108351601B

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN201680065693.X

申请日：2016-11-11

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： A·库里岑 ,  刘晔 ,  O·霍德金

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及具有涂覆于圆柱形对称元件(例如，滚筒)的外表面上的靶材料(例如氙)的激光产生的等离子体光源。实施例包含可经优化以减少对所述滚筒的照射损坏的预脉冲布置及可用来减少对所述滚筒的照射损坏的脉冲修整单元。另外，揭示实施例，其中圆柱形对称元件的表面形成有具有大于1mm的凹槽深度的多个凹槽及聚焦激光束且建立照射位点以从所述靶材料产生等离子体的聚焦单元，其中所述照射位点远离凹槽表面部分以保护所述表面部分免于照射损坏。