利用正子消散光谱术量测薄膜特性的方法及样品保持器

    公开(公告)号:CN102279157B

    公开(公告)日:2013-05-01

    申请号:CN201010199933.X

    申请日:2010-06-10

    IPC分类号: G01N21/25 G01N21/01

    摘要: 本发明是有关于一种利用正子消散光谱术量测薄膜特性的方法及样品保持器,是一种利用正子消散光谱术量测薄膜在湿式状态下的特性的方法及其样品保持器,已知正子消散时间光谱术(positron annihilationlifetime spectroscopy)可用于研究各种材料的局部自由体积孔洞性质(local free-volume hole property),借由本发明的方法及其样品保持器,可量测薄膜在干式及湿式状态下的自由体积及其层构造。

    利用正子消散光谱术量测薄膜特性的方法及样品保持器

    公开(公告)号:CN102279157A

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:CN201010199933.X

    申请日:2010-06-10

    IPC分类号: G01N21/25 G01N21/01

    摘要: 本发明是有关于一种利用正子消散光谱术量测薄膜特性的方法及样品保持器,是一种利用正子消散光谱术量测薄膜在湿式状态下的特性的方法及其样品保持器,已知正子消散时间光谱术(positron annihilationlifetime spectroscopy)可用于研究各种材料的局部自由体积孔洞性质(local free-volume hole property),借由本发明的方法及其样品保持器,可量测薄膜在干式及湿式状态下的自由体积及其层构造。