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公开(公告)号:CN106477908A
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201610888212.7
申请日:2016-10-12
Applicant: 福建农林大学
IPC: C03C17/25
CPC classification number: C03C17/25 , C03C2217/213 , C03C2218/111
Abstract: 本发明公开了一种疏水SiO2增透膜的制备方法,具体步骤:将无机前驱体正硅酸乙酯、有机前驱体辛基三乙氧基硅烷、无水乙醇、氨水按质量比为11.0-15.6:1-8:130-200:3.6-6.6混合,在25-50 ℃磁力搅拌0.5-12h,然后装在密闭的玻璃容器中陈化3-30天,采用浸渍-提拉法进行镀膜。其过程简单高效,能有效提高其光学稳定性,提高SiO2增透膜疏水性。
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公开(公告)号:CN106477909A
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201610888321.9
申请日:2016-10-12
Applicant: 福建农林大学
IPC: C03C17/25
CPC classification number: C03C17/25 , C03C2217/213 , C03C2217/70 , C03C2218/111
Abstract: 本发明提供了一种用十二烷基三乙氧基硅烷制备疏水SiO2增透膜的方法,具体步骤:将正硅酸乙酯、十二烷基三乙氧基硅烷、无水乙醇和氨水按质量比11.0-15.6:1-8:130-200:3.6-6.6混合加入到密闭的玻璃容器中,先在25-50℃搅拌0.5-12 h,然后在20-40℃陈化3-30天;在环境相对湿度为20%以下,采用浸渍-提拉法在清洗干净的基片上镀膜,所得的膜层即为疏水的SiO2增透膜。其过程快捷高效,提高增透膜增透膜的疏水性,增加增透膜在太阳能系统等光学领域的使用寿命。
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公开(公告)号:CN106630668A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201610888398.6
申请日:2016-10-12
Applicant: 福建农林大学
IPC: C03C17/25
CPC classification number: C03C17/25 , C03C2217/213 , C03C2217/70 , C03C2218/111
Abstract: 本发明提供了一种用丙基三乙氧基硅烷制备折射率可控的SiO2增透膜的方法,具体步骤:将正硅酸乙酯、丙基三乙氧基硅烷、无水乙醇和氨水按质量比为11.0‑15.6:1‑8:130‑200:3.6‑6.6混合加入到密闭的玻璃容器中,25‑50℃磁力搅拌0.5‑12h,20‑40℃恒温陈化3‑30天;采用浸渍‑提拉法在基片上镀膜,所得的膜层即为一定折射率的SiO2增透膜,其过程简单高效,为制备宽频多层增透膜奠定了基础。
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公开(公告)号:CN106431001A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201610888362.8
申请日:2016-10-12
Applicant: 福建农林大学
IPC: C03C17/25
CPC classification number: C03C17/25 , C03C2217/213 , C03C2217/70 , C03C2218/111
Abstract: 本发明提供了一种有机-无机杂化法制备疏水SiO2增透膜的方法,具体步骤:将无机前驱体正硅酸乙酯、有机前驱体己基三乙氧基硅烷、分散剂无水乙醇和催化剂氨水按质量比为11.0-15.6:1-8:130-200:3.6-6.6混合,在25-50℃下搅拌0.5-12 h,之后在室温下密闭陈化3-30天;薄膜的制备:采用浸渍-提拉法在基片上镀膜,然后在100-200℃下热处理1 h,其过程简便高效,提高增透膜疏水性进而增强薄膜的光学稳定性。
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