公开(公告)号：CN110841661A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201911195044.3

申请日：2019-11-28

Applicant: 福建农林大学

Inventor： 庄建东 ,  田勤奋 ,  魏文康 ,  蔡再伟 ,  孙华盛 ,  俞懿芸 ,  任世明 ,  墙佳宏

IPC: B01J27/051 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明公开了一种1T-2H MoS2@CdS复合纳米材料的制备方法及其应用，其是以碳酸氢铵作为物相和形貌调节剂，利用水热法在一维CdS纳米棒上实现MoS2晶相的控制和原位生长，而制得花棒状的1T-2H MoS2@CdS三维复合纳米材料。该复合纳米材料中1T和2H混合相能够有效提高MoS2对电子的传输性能，而三维花棒结构能够大大缩短体系中光生载流子的迁移距离，从而实现光生电子-空穴的良好分离，这使其具有更高的可见光吸收利用率和光催化分解水制氢效率，且其稳定性好、制备条件要求低、操作简单、原材料廉价易得，具有广阔的应用前景。