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发明公开
一种CuO牺牲层修饰Mo/CZTSSe背界面的方法审中-公开

公开(公告)号：CN119789571A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411945951.6

申请日：2024-12-27

Applicant: 福州大学 , 闽都创新实验室

Inventor： 程树英 , 苏桢毅 , 孙全震 , 谢暐昊

IPC: H10F71/00 , H10F77/12 , H10F77/30

Abstract: 本发明公开了一种CuO牺牲层修饰Mo/CZTSSe背界面的方法，其是在Mo/CZTSSe背界面处引入一层CuO牺牲层，以实现对背界面的修饰。CuO牺牲层的引入可阻止Se向衬底扩散，减薄MoSe2厚度，降低背界面接触电阻，同时，Cu离子向CZTSSe薄膜扩散，形成CuxSey液相，可促进其晶体生长，提高薄膜质量。该处理可同时改善背界面和CZTSSe吸收层质量，有效降低串联电阻和载流子复合，极大提高CZTSSe太阳电池的性能，使电池效率从9.23%提升到10.57%，为高效CZTSSe太阳电池的制备提供新的思路。

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