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公开(公告)号：CN119208358A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411324313.2
申请日：2024-09-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/34
Abstract: 本发明提出场限环终端结构下的高压氧化镓肖特基二极管，包括自下而上顺序层叠设置的阴极金属层（1）、高掺杂N型氧化镓衬底（2）、低掺杂N型氧化镓外延层（3）、阳极金属层（4）；所述阳极金属层与低掺杂N型氧化镓外延层顶部处的主结（5）相接；低掺杂N型氧化镓外延层顶部处还设有若干个场限环（6）；本发明简化了工艺步骤，使其能够有效地工业生产，本发明的器件设计缓解了终端区的电场拥挤现象，改善电场分布，进一步提高了氧化镓SBD器件的耐压性能和器件的可靠性。在该结构下，器件的击穿电压得到了大幅提升且只略微提高特征导通电阻，最终实现了高的PFOM值。
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