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公开(公告)号：CN113461053A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110822444.3
申请日：2021-07-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种Se掺杂Bi2O2S纳米片及其制备方法和应用。采用水热法制得的e掺杂Bi2O2S纳米片在脉宽208飞秒，波长800纳米，频率为100千赫兹的激光器条件下，非线性吸收系数β和三阶极化率虚部Imχ(3)值最高可达‑6.98×103 cm·GW‑1和‑5.37×10‑7 esu，其绝对值比几种典型的二维非线性材料MoS2、MoSe2、石墨烯和黑磷大几个数量级，表明Se掺杂Bi2O2S纳米片具有显著三阶非线性饱和吸收性能，是一种优异的可饱和吸收体材料，可以广泛应用于超短脉冲激光调Q和锁模等领域。
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