公开(公告)号：CN117680119A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311680927.X

申请日：2023-12-08

Applicant: 福州大学

Inventor： 曾悦 ,  李云琴 ,  蒋雅洁 ,  许翔 ,  余巍 ,  余蓉

IPC: B01J20/30 ,  B01J20/22 ,  B01D15/08 ,  B01D61/00

Abstract: 本发明涉及As(Ⅲ)的吸附技术领域，更具体地涉及一种选择性吸附As(Ⅲ)的吸附材料、DGT装置及其制备方法。使用三巯基丙基三甲氧基硅烷对正硅酸乙酯采用共聚法进行改性，通过溶胶凝胶，常压干燥合成了能够选择性吸附As(Ⅲ)的吸附材料。本发明方案制备方法简便，得到的吸附材料对As(Ⅲ)具有特异性吸附效果，为生产各种不同环境条件下适用的DGT装置开展As(Ⅲ)的原位采样任务提供了很好的特异性吸附As(Ⅲ)的薄膜的材料。同时，本申请提供的DGT装置组装过程步骤简单、对As(Ⅲ)的吸附率和最大吸附量高，操作方便，能够满足DGT装置在大多数常见的不同环境中长期监测的要求。