一种高电导率的卤化亚铜掺杂富氯硫银锗矿电解质、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN119650828A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411980164.5

    申请日:2024-12-31

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明属于材料技术领域,具体涉及一种高电导率的卤化亚铜掺杂富氯硫银锗矿电解质、制备方法及其应用。将原料Li2S、P2S5、LiCl和CuX(X=F、Cl、Br、I)按照一定的比例置于高速球磨机中混合均匀,球磨完成后,将电解质粉末前驱体在一定的压力(10 MPa‑1000 Mpa)下压成块状;密封在真空石英管中进行后续的退火处理,将退火处理后的块状电解质于研钵中研磨即可得到最终电解质记为LPSCl‑(CuX)z.该方法工艺简单,成本廉价,重现性好,性能优异。

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