公开(公告)号：CN108899377A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810785959.9

申请日：2018-07-17

Applicant: 福州大学

Inventor： 郑巧 ,  程树英 ,  王冲冲 ,  马国臣

IPC: H01L31/0264 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种以Ti掺杂Sb2S3作为光吸收层的薄膜太阳能电池及其制备方法，该薄膜太阳能电池结构由下到上依次由氧化物透明导电衬底、电子传输层、无机光吸收层、空穴传输层和金属电极构成，其中所述无机光吸收层为Ti掺杂的Sb2S3薄膜。本发明采用旋涂方法制备Ti掺杂的Sb2S3薄膜，使Sb2S3薄膜表面形貌有了很大改善，增强了其光吸收率，以其作为薄膜太阳能电池的光吸收层，可使电池的电流密度和填充因子明显提高，从而提升电池转换效率。

公开(公告)号：CN107302057A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710569803.2

申请日：2017-07-13

Applicant: 福州大学

Inventor： 郑巧 ,  程树英 ,  王冲冲

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明公开了一种基于三硫化二锑致密薄膜的平面结构杂化太阳能电池，属于薄膜材料与器件领域。该太阳能电池包括透明导电的衬底、电子传输层、光吸收层、空穴传输层和金属电极，所述光吸收层是用比例为1:1.5~2.5的SbCl3和硫脲作为前驱体，通过旋涂制备致密Sb2S3薄膜，厚度范围是360纳米至1微米。本发明采用致密的Sb2S3薄膜为光吸收层构成平面结构杂化太阳能电池，其成本低廉、工艺简单、易于大面积生产，相对于介孔结构太阳电池，基于Sb2S3致密薄膜的平面结构太阳电池可重复性强，电池的效率更易进行改进。