公开(公告)号：CN105772035A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610212033.1

申请日：2016-04-07

Applicant: 福州大学

Inventor： 李亚峰 ,  魏明灯 ,  车宗洲 ,  熊佩勋

IPC: B01J27/051

CPC classification number: B01J27/051 ,  B01J21/18

Abstract: 本发明属于二硫化钼复合材料的制备领域，具体涉及一种分等级结构MoS2@rGO的制备方法。将hummers方法制备的氧化石墨烯和Mo3O10(C2H10N2)分散于去离子水中，超声0.5h后，加入L?半胱氨酸，经水热反应后，再经离心、洗涤、干燥，将得到的产物在惰性气氛下煅烧即得MoS2纳米片垂直生长在石墨烯表面的MoS2@rGO。该制备方法简单，重复性好，有利于大规模生产，具有潜在的应用价值。

公开(公告)号：CN105772035B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201610212033.1

申请日：2016-04-07

Applicant: 福州大学

Inventor： 李亚峰 ,  魏明灯 ,  车宗洲 ,  熊佩勋

IPC: B01J27/051

Abstract: 本发明属于二硫化钼复合材料的制备领域，具体涉及一种分等级结构MoS2@rGO的制备方法。将hummers方法制备的氧化石墨烯和Mo3O10(C2H10N2)分散于去离子水中，超声0.5h后，加入L‑半胱氨酸，经水热反应后，再经离心、洗涤、干燥，将得到的产物在惰性气氛下煅烧即得MoS2纳米片垂直生长在石墨烯表面的MoS2@rGO。该制备方法简单，重复性好，有利于大规模生产，具有潜在的应用价值。