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公开(公告)号：CN104261403B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410580347.8
申请日：2014-10-27
申请人： 福州大学
IPC分类号： C01B31/04
CPC分类号： C01B32/20
摘要： 本发明提供了一种三维多孔结构石墨烯的制备方法，以聚苯乙烯模板与氧化石墨烯间的静电作用形成均匀的分散液，然后通过高温煅烧除去聚苯乙烯模板，热还原得到三维多孔结构的石墨烯。本发明以聚苯乙烯小球作为模板，通过控制聚苯乙烯小球粒径的大小，可有效控制石墨烯中的孔径大小；而通过煅烧还原法制备石墨烯可以避免化学还原过程中使用的有毒化学试剂以及石墨烯团聚问题，同时煅烧后的石墨烯的孔状结构更加牢固。
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公开(公告)号：CN103936078A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410173564.5
申请日：2014-04-28
申请人： 福州大学
摘要： 本发明提供了一种中空纳米二氧化锰的制备方法，以高锰酸钾和硫酸锰作为原料，引入铈离子，采用水热法制得中空纳米二氧化锰。通过引入铈离子，增加了溶液的化学势，有利于形成一维纳米线结构，同时铈离子的存在降低了体系的反应速率，增加了成核速率，最终形成由二氧化锰纳米线组成的中空二氧化锰结构，大大增加了二氧化锰的比表面积，可用于制备超级电容器电极材料。
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公开(公告)号：CN103936078B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410173564.5
申请日：2014-04-28
申请人： 福州大学
摘要： 本发明提供了一种中空纳米二氧化锰的制备方法，以高锰酸钾和硫酸锰作为原料，引入铈离子，采用水热法制得中空纳米二氧化锰。通过引入铈离子，增加了溶液的化学势，有利于形成一维纳米线结构，同时铈离子的存在降低了体系的反应速率，增加了成核速率，最终形成由二氧化锰纳米线组成的中空二氧化锰结构，大大增加了二氧化锰的比表面积，可用于制备超级电容器电极材料。
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公开(公告)号：CN103979532B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201410242206.5
申请日：2014-06-04
申请人： 福州大学
摘要： 本发明提供了一种氮掺杂石墨烯片及其制备方法和应用，以氨水作为氮源，采用了两步反应法制得氮掺杂石墨烯片。反应过程中不使用任何表面活性剂，反应物成分简单，反应条件温和，解决了现有制备方法存在的反应条件苛刻、含氮量低、生产成本高等问题。制备过程中氨水的加入促进了氧化石墨烯还原成石墨烯，同时作为氮源制得氮掺杂石墨烯片。本发明可用于制备高质量纯净的氮掺杂石墨烯片，其具有优异的电化学性能，可用于制备超级电容器电极材料。
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公开(公告)号：CN104261403A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410580347.8
申请日：2014-10-27
申请人： 福州大学
IPC分类号： C01B31/04
CPC分类号： C01B32/20
摘要： 本发明提供了一种三维多孔结构石墨烯的制备方法，以聚苯乙烯模板与氧化石墨烯间的静电作用形成均匀的分散液，然后通过高温煅烧除去聚苯乙烯模板，热还原得到三维多孔结构的石墨烯。本发明以聚苯乙烯小球作为模板，通过控制聚苯乙烯小球粒径的大小，可有效控制石墨烯中的孔径大小；而通过煅烧还原法制备石墨烯可以避免化学还原过程中使用的有毒化学试剂以及石墨烯团聚问题，同时煅烧后的石墨烯的孔状结构更加牢固。
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公开(公告)号：CN103979532A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410242206.5
申请日：2014-06-04
申请人： 福州大学
摘要： 本发明提供了一种氮掺杂石墨烯片及其制备方法和应用，以氨水作为氮源，采用了两步反应法制得氮掺杂石墨烯片。反应过程中不使用任何表面活性剂，反应物成分简单，反应条件温和，解决了现有制备方法存在的反应条件苛刻、含氮量低、生产成本高等问题。制备过程中氨水的加入促进了氧化石墨烯还原成石墨烯，同时作为氮源制得氮掺杂石墨烯片。本发明可用于制备高质量纯净的氮掺杂石墨烯片，其具有优异的电化学性能，可用于制备超级电容器电极材料。
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