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公开(公告)号：CN114142101A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111430654.4
申请日：2021-11-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01M10/058 , H01M10/48 , H01M10/0562
Abstract: 本发明公开了一种低温一步制备带有阻塞电极的LATP固态电解质的方法，该方法将金箔和滴加适量液相的坯体在低温下共烧结，用以解决在高温下烧结LATP电解质易产生锂的损失和杂质相生成等问题。本发明具有以下优点：（1）实现在140‑280℃低温下即可制备出LATP固态电解质，工艺步骤简单；（2）将烧结成片和后续测试电导率的磁控溅射或涂银浆步骤合二为一，坯体烧结完成即可实现表面平坦，阻塞电极导电性连续，厚度均匀且可控的电解质，不使用磁控溅射即可实现镀金，生产成本低，也避免了厚度较大的银浆层，易于实施，重复性强，节约时间，主要用作一步制备出表面具有阻塞电极LATP固体电解质。
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