一种抑制卤氧化铋光腐蚀的方法

    公开(公告)号:CN112774700B

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202110105290.6

    申请日:2021-01-26

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种抑制卤氧化铋光腐蚀的方法,属于光催化材料技术领域。纯的卤氧化铋在光催化过程中会在其表面生成一圈钝化层(Bi2O3),严重阻碍了其光催化性能的表达。本发明通过原位光沉积硝酸钴,生成的氧化钴助催化剂与卤素原子发生合金化效应,形成三氧化钴铋(BiCoO3)合金,包裹住卤氧化铋,有效抑制了其光腐蚀的同时提高了其光催化性能。本发明提供的制备方法,材料廉价,过程简单,条件可控,所得的三氧化钴铋(BiCoO3)合金能有效改善卤氧化铋的光电化学性质,促进其电荷分离,并提高其光催化性能。

    一种抑制卤氧化铋光腐蚀的方法

    公开(公告)号:CN112774700A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202110105290.6

    申请日:2021-01-26

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种抑制卤氧化铋光腐蚀的方法,属于光催化材料技术领域。纯的卤氧化铋在光催化过程中会在其表面生成一圈钝化层(Bi2O3),严重阻碍了其光催化性能的表达。本发明通过原位光沉积硝酸钴,生成的氧化钴助催化剂与卤素原子发生合金化效应,形成三氧化钴铋(BiCoO3)合金,包裹住卤氧化铋,有效抑制了其光腐蚀的同时提高了其光催化性能。本发明提供的制备方法,材料廉价,过程简单,条件可控,所得的三氧化钴铋(BiCoO3)合金能有效改善卤氧化铋的光电化学性质,促进其电荷分离,并提高其光催化性能。

    一种准原位光催化装置
    3.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218475271U

    公开(公告)日:2023-02-14

    申请号:CN202222045759.4

    申请日:2022-08-04

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本实用新型涉及一种准原位光催化装置,包括显微分析设备、光催化反应器、样品承载组件,样品承载组件包括悬挂单元、支撑单元及夹持单元,夹持单元包含载物台和上盖片,载物台上设有承载样品的芯片,上盖片用于盖设在载物台的上方并固定芯片;悬挂单元与支撑单元可拆连接并用于悬挂在光催化反应器的边缘;显微分析设备用于观察光催化反应后的样品。样品承载组件、光催化反应器与具有空间分辨率的显微设备相兼容,发展高空间和能量分辨率的准原位显微表征技术,在显微分析设备中准实时观察样品在光催化反应过程中半导体材料的微结构及其物理化学性质演化规律,从原子尺度揭示样品结构演变与其物理化学性质的相关性。

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