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公开(公告)号：CN109270476B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201811323932.4
申请日：2018-11-08
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：所述霍尔器件为完全对称的两个十字结构的深N阱；所述十字结构的深N阱的四个端和中心分别设置有重掺杂的N+区层，所述四个端点重掺杂的N+区层与中心重掺杂的N+区层之间均设置有高掺杂的P+区层。本发明采用高压CMOS工艺制备，具备了较深的N阱，提高了器件的灵敏度，在时序的控制下，可分时对三个轴向上的磁感应强度进行侦测，相比于分立式的三维霍尔器件，大大减小了版图面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109273592A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811321983.3
申请日：2018-11-08
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种双三孔垂直霍尔器件结构及设计方法，霍尔器件结构以两个相同且并排设置的三孔垂直霍尔器件形成轴对称结构；左右两个三孔垂直霍尔器件之间设有隔离结构；两个三孔垂直霍尔器件的N阱彼此相互独立且位于同一水平面；所述N阱上设有三个顺序平行排列的N+区形成三孔结构，三个N+区上均连有接触电极；两个三孔垂直霍尔器件以其边缘处的接触电极经导线相连形成组合体；本发明以两个互为镜像的三孔结构形成对称结构，四个状态下的电流流径对称，有利于使用旋转电路降低失调电压，同时接触电极采用非等间距的设计，在接触电极之间设置P+区优化载流子的分布情况，避免短路效应，器件采用高压工艺制备使之具备较深N阱以改善器件的灵敏度。
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公开(公告)号：CN109270476A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811323932.4
申请日：2018-11-08
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：所述霍尔器件为完全对称的两个十字结构的深N阱；所述十字结构的深N阱的四个端和中心分别设置有重掺杂的N+区层，所述四个端点重掺杂的N+区层与中心重掺杂的N+区层之间均设置有高掺杂的P+区层。本发明采用高压CMOS工艺制备，具备了较深的N阱，提高了器件的灵敏度，在时序的控制下，可分时对三个轴向上的磁感应强度进行侦测，相比于分立式的三维霍尔器件，大大减小了版图面积。
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公开(公告)号：CN109273592B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201811321983.3
申请日：2018-11-08
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种双三孔垂直霍尔器件结构及设计方法，霍尔器件结构以两个相同且并排设置的三孔垂直霍尔器件形成轴对称结构；左右两个三孔垂直霍尔器件之间设有隔离结构；两个三孔垂直霍尔器件的N阱彼此相互独立且位于同一水平面；所述N阱上设有三个顺序平行排列的N+区形成三孔结构，三个N+区上均连有接触电极；两个三孔垂直霍尔器件以其边缘处的接触电极经导线相连形成组合体；本发明以两个互为镜像的三孔结构形成对称结构，四个状态下的电流流径对称，有利于使用旋转电路降低失调电压，同时接触电极采用非等间距的设计，在接触电极之间设置P+区优化载流子的分布情况，避免短路效应，器件采用高压工艺制备使之具备较深N阱以改善器件的灵敏度。
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公开(公告)号：CN209231495U
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201821833905.7
申请日：2018-11-08
Applicant: 福州大学
Abstract: 本实用新型涉及一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：所述霍尔器件为完全对称的两个十字结构的深N阱；所述十字结构的深N阱的四个端和中心分别设置有重掺杂的N+区层，所述四个端点重掺杂的N+区层与中心重掺杂的N+区层之间均设置有高掺杂的P+区层。本实用新型采用高压CMOS工艺制备，具备了较深的N阱，提高了器件的灵敏度，在时序的控制下，可分时对三个轴向上的磁感应强度进行侦测，相比于分立式的三维霍尔器件，大大减小了版图面积。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208835094U
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201821830313.X
申请日：2018-11-08
Applicant: 福州大学
Abstract: 本实用新型提出一种双三孔垂直霍尔器件结构，所述霍尔器件结构以两个相同且并排设置的三孔垂直霍尔器件形成轴对称结构；左右两个三孔垂直霍尔器件之间设有隔离结构；两个三孔垂直霍尔器件的N阱彼此相互独立且位于同一水平面；所述N阱上设有三个顺序平行排列的N+区形成三孔结构，三个N+区上均连有接触电极；两个三孔垂直霍尔器件以其边缘处的接触电极经导线相连形成组合体；本实用新型以两个互为镜像的三孔结构形成对称结构，四个状态下的电流流径对称，有利于使用旋转电路降低失调电压，同时接触电极采用非等间距的设计，在接触电极之间设置P+区优化载流子的分布情况，避免短路效应，器件采用高压工艺制备使之具备较深N阱以改善器件的灵敏度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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