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公开(公告)号：CN113293320A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110686416.3
申请日：2021-06-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及Sr‑Sb合金材料技术领域，尤其涉及一种Te元素掺杂四方相Sr2Sb材料及其制备方法。称取Sr粉、Sb粉和Te粉，高速粉碎，将粉碎后的粉体放入真空球磨机中，在氩气的保护气氛下球磨，将球磨后的粉末装入进行压制成型，得到粒状坯体；将粒状坯体放入微波烧结炉内，进行充分反应，降至室温，洗涤去除反应中的杂质，干燥得到Te掺杂四方相Sr2Sb块状试样。本发明制备方法与传统的固相加热法相比，具有节约原料、反应速度快、样品纯度高，而且方法简单、易于操作、高效节能等优点。
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公开(公告)号：CN113385682B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110686872.8
申请日：2021-06-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明属于合金材料技术领域，具体涉及一种Se掺杂四方相Sr2Bi材料及其制备方法。将Sr、Bi和Se粉末混合均匀后放入条形石英管中；将石英管升温至粉末熔化成熔融液体，将得到的熔融液体倒入加热漏包中，液体由漏包底部的小孔流入到喷嘴处雾化区域；高速喷出雾化气体，将喷嘴雾化区域流出的熔融液体冲击破碎成小颗粒的液滴，液滴急速冷却凝固后掉入到收集室中；将收集室中收集的粉末与将洗净的磨球球磨，将球磨后得到的粉末压块，得到Se掺杂四方相Sr2Bi试样。本发明获得的Se掺杂四方相Sr2Bi材料晶粒显著提高材料的电导率，尺寸细小，均匀，样品纯度高，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113293320B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110686416.3
申请日：2021-06-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及Sr‑Sb合金材料技术领域，尤其涉及一种Te元素掺杂四方相Sr2Sb材料及其制备方法。称取Sr粉、Sb粉和Te粉，高速粉碎，将粉碎后的粉体放入真空球磨机中，在氩气的保护气氛下球磨，将球磨后的粉末装入进行压制成型，得到粒状坯体；将粒状坯体放入微波烧结炉内，进行充分反应，降至室温，洗涤去除反应中的杂质，干燥得到Te掺杂四方相Sr2Sb块状试样。本发明制备方法与传统的固相加热法相比，具有节约原料、反应速度快、样品纯度高，而且方法简单、易于操作、高效节能等优点。
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公开(公告)号：CN113385682A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110686872.8
申请日：2021-06-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明属于合金材料技术领域，具体涉及一种Se掺杂四方相Sr2Bi材料及其制备方法。将Sr、Bi和Se粉末混合均匀后放入条形石英管中；将石英管升温至粉末熔化成熔融液体，将得到的熔融液体倒入加热漏包中，液体由漏包底部的小孔流入到喷嘴处雾化区域；高速喷出雾化气体，将喷嘴雾化区域流出的熔融液体冲击破碎成小颗粒的液滴，液滴急速冷却凝固后掉入到收集室中；将收集室中收集的粉末与将洗净的磨球球磨，将球磨后得到的粉末压块，得到Se掺杂四方相Sr2Bi试样。本发明获得的Se掺杂四方相Sr2Bi材料晶粒显著提高材料的电导率，尺寸细小，均匀，样品纯度高，具有广阔的应用前景。
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