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公开(公告)号：CN110184552A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910637997.4
申请日：2019-07-16
Applicant: 福州大学
Inventor： 汪炳叔 , 佟彤 , 邓丽萍 , 姚劲毅
IPC: C22F1/08
Abstract: 本发明公开一种电解纯铜的深低温成形方法，其是先将电解纯铜在装配有环境箱的万能试验机上进行2~4道次的等径角挤压，然后将挤压后的样品在液氮中浸泡20-30分钟，随后取出，在轧机上进行多道次冷轧变形，再经退火处理，即可得到晶粒尺寸为500nm~20μm的铜样。本发明可在短时间内获得均匀的等轴再结晶小晶粒，极大提高纯铜的强度。
