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公开(公告)号：CN112531036B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011469652.1
申请日：2020-12-15
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性银铟双重梯度掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法，采用溶液法溶解单质及后硒化处理的方式制备薄膜，由不同银或铟掺杂浓度的CZTSSe薄膜叠层构成，银含量从上往下梯度降低，铟含量从下往上梯度降低，可用于柔性太阳电池。本发明制得的银铟双重梯度掺杂的CZTSSe薄膜中，从下往上为P+型—P型—P‑/N+型的分布，薄膜内形成一个弱电场，这一电场促进空穴流向背接触界面、电子流向硫化镉和吸收层界面，增强对吸收层内部载流子的抽取能力，促进载流子的收集，提高了CZTSSe薄膜太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN112531036A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011469652.1
申请日：2020-12-15
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性银铟双重梯度掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法，采用溶液法溶解单质及后硒化处理的方式制备薄膜，由不同银或铟掺杂浓度的CZTSSe薄膜叠层构成，银含量从上往下梯度降低，铟含量从下往上梯度降低，可用于柔性太阳电池。本发明制得的银铟双重梯度掺杂的CZTSSe薄膜中，从下往上为P+型—P型—P‑/N+型的分布，薄膜内形成一个弱电场，这一电场促进空穴流向背接触界面、电子流向硫化镉和吸收层界面，增强对吸收层内部载流子的抽取能力，促进载流子的收集，提高了CZTSSe薄膜太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN107910390B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711143332.5
申请日：2017-11-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/072
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种银单质掺杂的CZTSSe薄膜制备方法及其在柔性太阳电池中的应用。通过Ag掺杂可以改善薄膜的质量，有效提高器件的开路电压、填充因子、光电转换效率以及有效改善带尾态现象，实验的可重复性和稳定性较好，在太阳电池方面有较好的应用价值。
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公开(公告)号：CN107871795B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201711143306.2
申请日：2017-11-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/032
Abstract: 本发明涉及一种基于柔性钼衬底的镉掺杂铜锌锡硫硒薄膜带隙梯度的调控方法。首先用电沉积法清洗柔性钼箔片，然后用溶液法溶解单质及后硒化处理的方式通过叠层实现CZCTSSe薄膜带隙梯度的变化，可用于制备具有CZCTSSe带隙梯度变化的薄膜太阳电池。本发明采用柔性钼作为衬底，高纯钼箔的利用解决了薄膜与衬底间的粘附性问题，并取代了电池结构中的溅射金属导电背接触层，从而降低了制造成本；采用溶液法溶解单质制备前驱体溶液，避免了溶解金属盐时会引入杂质离子的缺点，且溶液法成本低廉、工艺简单、易于大面积生产，绿色环保，满足了大规模批量生产与商业化的需求，实用性强。
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公开(公告)号：CN107871795A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201711143306.2
申请日：2017-11-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/032
CPC classification number: H01L31/0323
Abstract: 本发明涉及一种基于柔性钼衬底的镉掺杂铜锌锡硫硒薄膜带隙梯度的调控方法。首先用电沉积法清洗柔性钼箔片，然后用溶液法溶解单质及后硒化处理的方式通过叠层实现CZCTSSe薄膜带隙梯度的变化，可用于制备具有CZCTSSe带隙梯度变化的薄膜太阳电池。本发明采用柔性钼作为衬底，高纯钼箔的利用解决了薄膜与衬底间的粘附性问题，并取代了电池结构中的溅射金属导电背接触层，从而降低了制造成本；采用溶液法溶解单质制备前驱体溶液，避免了溶解金属盐时会引入杂质离子的缺点，且溶液法成本低廉、工艺简单、易于大面积生产，绿色环保，满足了大规模批量生产与商业化的需求，实用性强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112490332A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011502106.3
申请日：2020-12-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及一种柔性双阳离子掺杂的CZTSSe太阳电池界面钝化方法，其特征在于，在CZTSSe/CdS异质结界面形成Li掺杂，实现晶界处纳米电场反转，钝化异质结界面缺陷，抑制载流子复合；在CZTSSe/Mo背接触界面形成Ge掺杂，实现能带调控，钝化背接触界面缺陷，抑制电子流向背接触界面，减小界面复合。该方法不仅有利于提高电池的光电转换效率，而且工艺简单、成本低廉、绿色环保，满足了大规模批量生产与商业化的需求，制备的柔性CZTSSe太阳电池可安装在非平面平台上，具有较强的推广与应用价值。
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公开(公告)号：CN108400184A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810184412.3
申请日：2018-03-07
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/0725 , H01L21/02 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种铟单质掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法及其在柔性太阳电池中的应用。本发明通过在CZTSSe薄膜中掺杂In以替代部分Sn原子，改善了薄膜体相缺陷，提高了载流子浓度，使由其制备的太阳电池的短路电流密度、开路电压、填充因子、光电转换效率明显提高，因此在太阳电池方面有较好的应用价值。
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公开(公告)号：CN107910390A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711143332.5
申请日：2017-11-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/072
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0326 , H01L31/0327 , H01L31/072
Abstract: 本发明公开了一种银单质掺杂的CZTSSe薄膜制备方法及其在柔性太阳电池中的应用。通过Ag掺杂可以改善薄膜的质量，有效提高器件的开路电压、填充因子、光电转换效率以及有效改善带尾态现象，实验的可重复性和稳定性较好，在太阳电池方面有较好的应用价值。
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公开(公告)号：CN112490332B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011502106.3
申请日：2020-12-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及一种柔性双阳离子掺杂的CZTSSe太阳电池界面钝化方法，其特征在于，在CZTSSe/CdS异质结界面形成Li掺杂，实现晶界处纳米电场反转，钝化异质结界面缺陷，抑制载流子复合；在CZTSSe/Mo背接触界面形成Ge掺杂，实现能带调控，钝化背接触界面缺陷，抑制电子流向背接触界面，减小界面复合。该方法不仅有利于提高电池的光电转换效率，而且工艺简单、成本低廉、绿色环保，满足了大规模批量生产与商业化的需求，制备的柔性CZTSSe太阳电池可安装在非平面平台上，具有较强的推广与应用价值。
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公开(公告)号：CN108400184B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810184412.3
申请日：2018-03-07
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/0725 , H01L21/02 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种铟单质掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法及其在柔性太阳电池中的应用。本发明通过在CZTSSe薄膜中掺杂In以替代部分Sn原子，改善了薄膜体相缺陷，提高了载流子浓度，使由其制备的太阳电池的短路电流密度、开路电压、填充因子、光电转换效率明显提高，因此在太阳电池方面有较好的应用价值。
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