公开(公告)号：CN101248519B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200680014752.7

申请日：2006-02-24

Applicant: 硅源公司

Inventor： 佛朗克斯·J·海恩勒 ,  哈丽·罗伯特·柯克 ,  詹姆斯·安德鲁·苏利凡

IPC: H01L21/46 ,  H01L21/30 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/2007 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/019 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76254 ,  H01L2221/68359

Abstract: 本发明公开了一种包含一个或多个器件(例如，光电器件、集成电路)的多层衬底结构。该结构具有操作衬底，该操作衬底具有预定厚度并且杨氏模量为约1MPa-约130GPa。该结构还具有连接至操作衬底的充分结晶材料层。优选地，该充分结晶材料层的厚度为约100μm-约5mm。该结构在充分结晶材料层上具有分裂表面，并且分裂膜的表面粗糙度小于200。在材料层上设置有至少一个或更多个光电器件。

公开(公告)号：CN101248519A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200680014752.7

申请日：2006-02-24

Applicant: 硅源公司

Inventor： 佛朗克斯·J·海恩勒 ,  哈丽·罗伯特·柯克 ,  詹姆斯·安德鲁·苏利凡

IPC: H01L21/46 ,  H01L21/30 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/2007 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/019 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76254 ,  H01L2221/68359

Abstract: 本发明公开了一种包含一个或多个器件(例如，光电器件、集成电路)的多层衬底结构。该结构具有操作衬底，该操作衬底具有预定厚度并且杨氏模量为约1MPa－约130GPa。该结构还具有连接至操作衬底的充分结晶材料层。优选地，该充分结晶材料层的厚度为约100μm－约5mm。该结构在充分结晶材料层上具有分裂表面，并且分裂膜的表面粗糙度小于200。在材料层上设置有至少一个或更多个光电器件。