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公开(公告)号：CN104078243B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201410319836.8
申请日：2014-07-07
申请人： 益阳市万京源电子有限公司 , 长沙理工大学
摘要： 本发明涉及一种基于石墨烯复合聚苯胺的固态电解电容器，该制造方法是将卷绕形成的芯包进行碳化以及化成修复以后，浸渍石墨烯复合单体和掺杂剂并进行电化学聚合反应，待电化学聚合反应进行到一定程度时，再次将芯包浸渍石墨烯复合单体和氧化剂，并加热聚合，聚合完成后进行封装、老化和分选。本发明制造的固态电解电容器具有等效串联电阻低、漏电流小、可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN104078243A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410319836.8
申请日：2014-07-07
申请人： 益阳市万京源电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种基于石墨烯复合聚苯胺的固态电解电容器，该制造方法是将卷绕形成的芯包进行碳化以及化成修复以后，浸渍石墨烯复合单体和掺杂剂并进行电化学聚合反应，待电化学聚合反应进行到一定程度时，再次将芯包浸渍石墨烯复合单体和氧化剂，并加热聚合，聚合完成后进行封装、老化和分选。本发明制造的固态电解电容器具有等效串联电阻低、漏电流小、可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN103741162A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310748535.2
申请日：2013-12-31
申请人： 长沙理工大学
IPC分类号： C25B1/14
摘要： 本发明公开了一种不对称交流电解制备高铁酸钾的方法，电解槽由阴极室、阳极室和双极离子交换膜组成，铁电极置于阳极室，石墨电极置于阴极室，电解液为10～18mol/L的KOH溶液，添加剂为KI和Na2SiO3摩尔比为（0～1.5）：（0～1.5）且总浓度0.5mmol/L，通入频率为50～100kHz，正负有效电压之比为（100～1000）:1的不对称交流电，反应1～5小时，用常规的纯化方法得到高铁酸钾。本发明解决电解过程中阳极钝化的问题，制备工艺简单，无污染，具有节能、高效的特点。
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公开(公告)号：CN103726037A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310736301.6
申请日：2013-12-29
申请人： 长沙理工大学
IPC分类号： C23C18/42
摘要： 本发明涉及一种化学浸钯/置换镀钯液，更特别涉及一种能够在PCB印刷电路板上形成的化学镀镍镀膜上直接形成具有附着性好的钯膜的化学浸钯液，其不影响作为底膜的化学镀镍膜。化学浸钯液含有可溶性钯盐，第一络合剂，第二络合剂，pH调节剂和光亮剂。第一类络合剂为氨和二胺中的一种或多种，第二类络合剂为氨基羧酸类化合物、羟基羧酸类化合物的一种或多种。该浸钯液具有稳定的pH、稳定的沉积速率，长的浴寿命，优异的浴稳定性，并能获得焊料接合性、引线焊接性优异的均匀、平整的镀钯膜。
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公开(公告)号：CN103726037B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310736301.6
申请日：2013-12-29
申请人： 长沙理工大学
IPC分类号： C23C18/42
摘要： 本发明涉及一种化学浸钯/置换镀钯液，更特别涉及一种能够在PCB印刷电路板上形成的化学镀镍镀膜上直接形成具有附着性好的钯膜的化学浸钯液，其不影响作为底膜的化学镀镍膜。化学浸钯液含有可溶性钯盐，第一络合剂，第二络合剂，pH调节剂和光亮剂。第一类络合剂为氨和二胺中的一种或多种，第二类络合剂为氨基羧酸类化合物、羟基羧酸类化合物的一种或多种。该浸钯液具有稳定的pH、稳定的沉积速率，长的浴寿命，优异的浴稳定性，并能获得焊料接合性、引线焊接性优异的均匀、平整的镀钯膜。
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公开(公告)号：CN104409621A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410728507.9
申请日：2014-12-04
申请人： 长沙理工大学
摘要： 本发明实施例公开了一种半导体薄膜型的热电器件及其制备方法，其中，该热电器件包括：上层柔性绝缘基片、下层柔性绝缘基片、M个热电单元、下层导电膜和M-1个第一绝缘层；M个热电单元，置于上层柔性绝缘基片和下层柔性绝缘基片的中间，且M个热电单元通过下层导电膜相串联，一个第一绝缘层置于两个热电单元之间，M-1个第一绝缘层置于M个热电单元之间；每个热电单元包括P型半导体薄膜热电元件、N型半导体薄膜热电元件、上层导电膜和第二绝缘层，P型半导体薄膜热电元件和N型半导体薄膜热电元件通过上层导电膜相连通，且第二绝缘层位于P型半导体薄膜热电元件和N型半导体薄膜热电元件中间。
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公开(公告)号：CN203705291U
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201420090688.2
申请日：2014-03-03
申请人： 长沙理工大学
IPC分类号： G01N5/02
摘要： 本实用新型提供了一种纳米氧化铝基钯膜石英晶体微天平传感器，该传感器包括一个石英晶体片(1)，所述石英晶体片(1)基底是镀铝膜层(2)，所述镀铝膜层(2)表面是纳米三氧化二铝膜层(3)，所述纳米三氧化二铝膜层(3)表面是镀钯膜层(4)，形成一种基于纳米氧化铝基钯膜的石英晶体微天平传感器。其中，纳米三氧化二铝的形状为球形，纳米三氧化二铝的粒径为1~50nm。本实用新型的效果和益处在于所述纳米氧化铝基钯膜石英晶体微天平传感器具有制作简单、成本低廉、灵敏度高、抗腐蚀性和稳定性好等优点。
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