公开(公告)号：CN102906888B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201180021561.4

申请日：2011-04-01

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 ,  飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司

Inventor： R.I.阿达之 ,  A.J.F.达维德

IPC: H01L33/28 ,  H01L33/14 ,  H01L33/46 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/40

Abstract: 装置（30）包括半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区域（50）与p型区域（54）之间的发光层（52）。布置在该半导体结构的底部表面上的底部接触（72）电连接到该n型区域（50）和该p型区域（54）之一。布置在该半导体结构的顶部表面上的顶部接触（34）电连接到该n型区域（50）和该p型区域（54）的另一者。镜（45,47）与该顶部接触（34）对齐。该镜（45,47）包括：沟槽（44,46），其形成在该半导体结构中；以及布置在该沟槽（44,46）中的反射材料（58,62），其中该沟槽（44,46）延伸通过该发光层（52）。

公开(公告)号：CN102906888A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180021561.4

申请日：2011-04-01

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 ,  飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司

Inventor： R.I.阿达之 ,  A.J.F.达维德

IPC: H01L33/28 ,  H01L33/14 ,  H01L33/46 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/40

Abstract: 装置（30）包括半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区域（50）与p型区域（54）之间的发光层（52）。布置在该半导体结构的底部表面上的底部接触（72）电连接到该n型区域（50）和该p型区域（54）之一。布置在该半导体结构的顶部表面上的顶部接触（34）电连接到该n型区域（50）和该p型区域（54）的另一者。镜（45,47）与该顶部接触（34）对齐。该镜（45,47）包括：沟槽（44,46），其形成在该半导体结构中；以及布置在该沟槽（44,46）中的反射材料（58,62），其中该沟槽（44,46）延伸通过该发光层（52）。