发光二极管
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100454598C

    公开(公告)日:2009-01-21

    申请号:CN200580018023.4

    申请日:2005-05-25

    CPC classification number: H01L33/16 H01L33/32

    Abstract: 一种发光二极管(LED),包括α-Al2O3或SiC的半透明基底和生长在所述基底的第一侧上的发光半导体材料的第一层,第一电极和第二电极,其中所述基底是多晶体。多晶基底的平均晶粒大小优选与LED使用期间由半导体材料发射的光的波长处于相同数量级。

    发光二极管
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1961433A

    公开(公告)日:2007-05-09

    申请号:CN200580018023.4

    申请日:2005-05-25

    CPC classification number: H01L33/16 H01L33/32

    Abstract: 一种发光二极管(LED),包括α-Al2O3或SiC的半透明基底和生长在所述基底的第一侧上的发光半导体材料的第一层,第一电极和第二电极,其中所述基底是多晶体。多晶基底的平均晶粒大小优选与LED使用期间由半导体材料发射的光的波长处于相同数量级。

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