公开(公告)号：CN1675769A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03819651.4

申请日：2003-07-10

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： M·H·R·兰克霍斯特 ,  P·范德斯鲁伊斯 ,  R·M·沃勒

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/02 ,  G11C11/22 ,  G11C11/36

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明涉及铁电器件(10)，其具有包括衬底(1)和铁电层(2)的主体(11)，在远离衬底(1)的一侧为该铁电层(2)提供连接导体(3)，该铁电层包含无氧铁电材料(2)并用于形成有源电元件(4)，特别是存储元件(4)。这种器件形成有吸引力的非易失性存储器件。根据本发明，在衬底(1)和铁电层(2)之间存在导电层(5)，该导电层形成铁电层(2)的另外的连接导体(5)，且作为该铁电层(2)与连接导体(3、5)中的至少一个形成肖特基结这一事实的结果，形成有源电元件(4)。实践中已经发现这种器件(10)包括性能优越的存储元件(4)，该存储元件(4)可以容易地形成在优选单晶硅衬底(1)上。优选地，该器件(10)还包括场效应晶体管(6)，且优选元件(4)位于该晶体管(6)的源或漏区(7)上。该有源元件也可以充当二极管。