公开(公告)号：CN1942956A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580011262.7

申请日：2005-04-08

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： E·R·梅恩德斯 ,  R·A·洛奇

IPC: G11B7/26 ,  G11B7/0045 ,  G11B7/24

CPC classification number: G11B7/261 ,  G11B7/263 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明涉及一种母盘基板、一种制作高密度凹凸结构的方法和由该高密度凹凸结构复制的光盘，该母盘基板包括一个基板层(10)和一个沉积在该基板层上的一个记录叠层，该记录叠层包括：一个信息层(12)；一个位于所述信息层和基板之间的中间层(11)，所述信息层(12)包括一种用于形成表示编码数据图案的标记和间隔的生长主导型相变材料，其中所述记录材料是一种合金，该合金包括选自含Ge、Sb、Te、In、Se、Bi、Ag、Ga、Sn、Pb和As的材料组中的至少两种材料。得到高密度的凹凸结构。

公开(公告)号：CN100583258C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200580011262.7

申请日：2005-04-08

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： E·R·梅恩德斯 ,  R·A·洛奇

IPC: G11B7/26 ,  G11B7/0045 ,  G11B7/24

CPC classification number: G11B7/261 ,  G11B7/263 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明涉及一种母盘基板、一种制作高密度凹凸结构的方法和由该高密度凹凸结构复制的光盘，该母盘基板包括一个基板层(10)和一个沉积在该基板层上的一个记录叠层，该记录叠层包括：一个信息层(12)，一个位于所述信息层和基板之间的中间层(11)，所述信息层(12)包括一种用于形成表示编码数据图案的标记和间隔的生长主导型相变材料，其中所述记录材料是一种合金，该合金包括选自含Ge、Sb、Te、In、Se、Bi、Ag、Ga、Sn、Pb和As的材料组中的至少两种材料。得到高密度的凹凸结构。