公开(公告)号：CN102017338A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980116760.6

申请日：2009-05-04

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： P·H·格拉赫 ,  R·金 ,  M·F·C·谢曼

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/18347 ,  H01S5/0028 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/14

Abstract: 本发明涉及一种包括VCSEL的垂直腔表面发射激光器件，该VCSEL具有单片集成光电二极管。该光电二极管(2)由半导体材料的第一n掺杂区(6)、p掺杂区(7)、本征区(8)和第二n掺杂区(9)的层序列形成。所述光电二极管(2)和所述激光器共享在所述第一n掺杂区(6)处实现为欧姆n接触(10)的公共电极。所提出的器件允许实现较不复杂的制造，导致较低的制造成本。

公开(公告)号：CN102017338B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200980116760.6

申请日：2009-05-04

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： P·H·格拉赫 ,  R·金 ,  M·F·C·谢曼

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/18347 ,  H01S5/0028 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/14

Abstract: 本发明涉及一种包括VCSEL的垂直腔表面发射激光器件，该VCSEL具有单片集成光电二极管。该光电二极管(2)由半导体材料的第一n掺杂区(6)、p掺杂区(7)、本征区(8)和第二n掺杂区(9)的层序列形成。所述光电二极管(2)和所述激光器共享在所述第一n掺杂区(6)处实现为欧姆n接触(10)的公共电极。所提出的器件允许实现较不复杂的制造，导致较低的制造成本。