集成电路低噪声放大器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101836358B

    公开(公告)日:2013-10-16

    申请号:CN200880017941.9

    申请日:2008-05-30

    CPC classification number: H03F3/189 H03F3/68

    Abstract: 本发明提出通过将低噪声放大器(LNA)集成到芯片来改善低噪声放大器(LNA)的规格。为了使用单芯片来覆盖工作频率的范围,本发明所提出的集成电路放大器包括输入端口,其被配置为从所述射频线圈接收所述磁共振信号;一个或多个LNA,其被配置为放大所接收的MR信号;以及输出端口,其被配置为输出来自所述一个或多个LNA的所放大的MR信号。RF线圈的工作频率取决于场强,如果存在匹配电路,则所述匹配电路需要被调谐至工作在RF线圈的工作频率,并且依赖于回路里的组件值,例如回路的大小。相反地,所提出的集成电路放大器能够直接与具有不同回路大小的RF线圈连接,而不需要匹配电路。

    集成电路低噪声放大器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101836358A

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:CN200880017941.9

    申请日:2008-05-30

    CPC classification number: H03F3/189 H03F3/68

    Abstract: 本发明提出通过将低噪声放大器(LNA)集成到芯片来改善低噪声放大器(LNA)的规格。为了使用单芯片来覆盖工作频率的范围,本发明所提出的集成电路放大器包括输入端口,其被配置为从所述射频线圈接收所述磁共振信号;一个或多个LNA,其被配置为放大所接收的MR信号;以及输出端口,其被配置为输出来自所述一个或多个LNA的所放大的MR信号。RF线圈的工作频率取决于场强,如果存在匹配电路,则所述匹配电路需要被调谐至工作在RF线圈的工作频率,并且依赖于回路里的组件值,例如回路的大小。相反地,所提出的集成电路放大器能够直接与具有不同回路大小的RF线圈连接,而不需要匹配电路。

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