公开(公告)号：CN1643661A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03807143.6

申请日：2003-03-26

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： E·P·A·M·巴克斯 ,  F·鲁泽布姆 ,  J·F·C·M·维霍文 ,  P·范德斯鲁伊斯

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/30617 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/125

Abstract: 在这种方法中，刻蚀半导体衬底以提供纳米线，所述衬底包括具有共同界面的第一材料的第一层和第二材料的第二层，其中第一和第二材料不同。它们的掺杂类型不同。备选地，材料的主要构成可以不同，例如SiGe或SiC与Si，或者InP与InAs。在所得纳米线中，界面是非常地明显。因此在第一和第二电极之间具有纳米线的电子装置具有很好的电致发光和光电特性。

公开(公告)号：CN100380603C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN03807143.6

申请日：2003-03-26

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： E·P·A·M·巴克斯 ,  F·鲁泽布姆 ,  J·F·C·M·维霍文 ,  P·范德斯鲁伊斯

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/12 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开一种纳米线制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底的表面提供构图的刻蚀掩模，以及沿垂直于该半导体衬底表面的方向刻蚀该半导体衬底以形成纳米线，其中该半导体衬底包括第一材料的第一层、第二材料的第二层和第三材料的第三层，这些层相互邻接；第二层夹在第一层和第三层之间，并具有至多100nm的厚度，以及刻蚀穿过第一层、第二层和第三层以用于形成纳米线，使得该纳米线包括第一材料的第一区、第二材料的第二区和包含第三材料的第三区。在所得纳米线中，界面是非常地明显。因此在第一和第二电极之间具有纳米线的电子装置具有很好的电致发光和光电特性。